Tranzistor G50N60 50N60 IGBT 50A 138W 600V TO-247
  • Tranzistor G50N60 50N60 IGBT 50A 138W 600V TO-247
  • Tranzistor G50N60 50N60 IGBT 50A 138W 600V TO-247

Tranzistor G50N60 50N60 IGBT 50A 138W 600V TO-247

32,17 zł
S DPH Dostawa 1-2 dni z InPost

Množstevní slevy

Počet Jedn. cena Ušetříte
20 31,85 zł 6,43 zł
40 31,53 zł 25,74 zł
60 31,20 zł 57,91 zł
100 30,56 zł 160,85 zł
Počet
Dostępny w magazynie w Mińsku Mazowieckim

help_outlineAsk about product
Tranzistor G50N60 50N60 IGBT 50A 138W 600V TO-247

Tranzistor G50N60 50N60 IGBT 50A 138W 600V TO-247

I accept privacy policy rules  

G50N60 IGBT tranzistor v pouzdru TO-247. Součástka určená pro výkonovou elektroniku a spínací obvody vyžadující vysoké napětí a vysoký proud.

Technické parametry

Označení na pouzdru G50N60
Typ IGBT tranzistor
Pouzdro TO-247
Montáž Průchozí THT
Počet vývodů 3
Hmotnost 6,2 g
Množství 1 kus

Elektrické parametry

Maximální napětí kolektor–emitor 600 V
Saturační napětí kolektor–emitor 1,9 V – bez uvedených podmínek měření
Trvalý proud kolektoru 50 A při 25°C
Maximální ztrátový výkon 138 W – v závislosti na tepelných podmínkách a chlazení
Uvedené hodnoty proudu a výkonu vyžadují odpovídající tepelné podmínky. Skutečný přípustný proud a výkon závisí na teplotě, způsobu montáže a účinnosti chlazení.
Hodnota saturačního napětí kolektor–emitor 1,9 V je uvedena bez podmínek měření. Při návrhu obvodu je nutné vycházet z dokumentace konkrétního provedení tranzistoru.

Možné náhrady

Následující součástky lze považovat za možné náhrady po důkladném porovnání parametrů:

  • APT50GN120B2
  • IGW100N60H3
  • IGW50N60H3
  • IGW75N60T
  • IRG8P60N120KD
  • IRGP4266
  • IRGP4690D
  • IRGP4790
  • IXGH48N60A3
  • IXGH50N60B4
  • IXGH50N60B4D1
  • KGT50N60KDA
  • MBQ50T65FESC
Seznam neznamená přímou zaměnitelnost. Před použitím je nutné porovnat elektrické parametry, rychlost spínání, požadavky na řízení hradla, přítomnost diody, pouzdro a zapojení vývodů.
Fotografie zobrazuje nabízený výrobek. Čitelnost fotografie byla zvýšena pomocí algoritmů AI.
V nabídce máme také tranzistory s jinými parametry.
K1347/I(ID369313667)
41 ks
5905042150827

Bezpečnostní informace – GPSR

Výrobek IGBT tranzistor
Označení G50N60
Maximální napětí kolektor–emitor 600 V
Trvalý proud kolektoru 50 A při 25°C, za stanovených tepelných podmínek
Maximální ztrátový výkon 138 W, v závislosti na tepelných podmínkách a chlazení
Pouzdro TO-247, THT
⚠ VAROVÁNÍ – VYSOKÉ NAPĚTÍ
Tranzistor může být použit v obvodech s napětím nebezpečným pro život. Montáž, měření a opravy provádějte pouze při odpojeném napájení a po bezpečném vybití součástek schopných akumulovat energii.

Zásady bezpečného používání

✓ Montáž, demontáž a změny zapojení provádějte pouze při zcela odpojeném napájení.
✓ Před montáží ověřte zapojení vývodů konkrétního provedení tranzistoru.
✓ Nepřekračujte maximální napětí kolektor–emitor 600 V.
✓ Zohledněte tepelné požadavky a zajistěte odpovídající chlazení.
✓ Po montáži zkontrolujte, zda nedošlo ke zkratu, zda jsou spoje správně zapájené a zda je hradlo správně řízeno.

Proud kolektoru a chlazení

⚠ 50 A NEZNAMENÁ PŘÍPUSTNÝ PROUD ZA VŠECH PODMÍNEK
Trvalý proud kolektoru 50 A je uveden při 25°C. Skutečná přípustná hodnota závisí na teplotě součástky, způsobu chlazení, podmínkách montáže a režimu provozu obvodu.

Ztrátový výkon

Maximální ztrátový výkon 138 W závisí na tepelných podmínkách.
Neznamená to, že tranzistor může tento výkon trvale rozptylovat bez vhodně navrženého chlazení.

Saturační napětí

Saturační napětí kolektor–emitor 1,9 V je uvedeno bez podmínek měření. Tato hodnota by neměla být používána pro přesné výpočty ztrát bez ověření v dokumentaci konkrétní součástky.

Řízení hradla

IGBT tranzistor vyžaduje odpovídající řízení hradla. Nesprávné řídicí napětí, příliš pomalé spínání nebo nevhodný řídicí obvod mohou zvýšit výkonové ztráty a zahřívání tranzistoru.

ESD

Hradlo tranzistoru může být citlivé na elektrostatické výboje. Při skladování, přepravě a montáži používejte standardní ochranná opatření proti ESD.

Možné náhrady

Uvedený seznam součástek neznamená zaručenou přímou zaměnitelnost.
Před náhradou je nutné porovnat napětí, proud, saturační napětí, dynamické parametry, rychlost spínání, požadavky na řízení hradla, přítomnost nebo nepřítomnost diody, pouzdro, zapojení vývodů a tepelné vlastnosti.

Montáž a pájení

Pouzdro TO-247
Montáž Průchozí THT
Pájení Vyhněte se nadměrnému a dlouhodobému zahřívání vývodů a pouzdra
Chlazení Zvolte podle skutečných výkonových ztrát a provozních podmínek

Kontrola před zapnutím

✓ Ověřte zapojení vývodů konkrétní součástky.
✓ Zkontrolujte maximální napětí v obvodu.
✓ Zkontrolujte očekávaný proud a výkonové ztráty.
✓ Zkontrolujte způsob řízení hradla.
✓ Zkontrolujte chlazení a správnost mechanické a elektrické montáže.
✓ Před připojením napájení zkontrolujte, zda nedošlo ke zkratu.

Skladování

Skladujte na suchém a čistém místě. Chraňte před vlhkostí, nečistotami, elektrostatickými výboji, mechanickým poškozením pouzdra a deformací vývodů.

Důležité informace

G50N60 je IGBT tranzistor v pouzdru TO-247 s maximálním napětím kolektor–emitor 600 V.

Trvalý proud kolektoru 50 A a maximální ztrátový výkon 138 W platí pouze za odpovídajících tepelných podmínek.

Saturační napětí 1,9 V je uvedeno bez podmínek měření a před použitím v návrhových výpočtech je nutné tuto hodnotu ověřit v dokumentaci konkrétní součástky.

Před prvním zapnutím ověřte zapojení vývodů, řízení hradla, napětí a proud v obvodu, podmínky chlazení a nepřítomnost zkratů.

Výrobce (Private Label) (EU) 2023/988 (GPSR)
Název: Superelektronika sp. z o.o.
Adresa: ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83
05-300 Mińsk Mazowiecki, Polsko
E-mail: sklep@superelektronika.pl
Odpovědná osoba (EU) 2023/988 (GPSR)
Název: Superelektronika sp. z o.o.
Adresa: ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83
05-300 Mińsk Mazowiecki, Polsko
E-mail: sklep@superelektronika.pl

Mohlo by vás také zajímat

Prohlédnuté produkty

Komentáře (0)
Na tento produkt momentálně není přidána žádná recenze.