Tranzystor G50N60 50N60 IGBT 50A 138W 600V TO247
32,17 zł
Brutto
Dostawa 1-2 dni z InPost
Tranzystor G50N60
G50N60 tranzystor IGBT w obudowie TO-247. Element przeznaczony do zastosowań energoelektronicznych i układów przełączających wymagających wysokiego napięcia oraz dużego prądu.
Parametry techniczne
| Oznaczenie na obudowie | G50N60 |
| Typ | Tranzystor IGBT |
| Obudowa | TO-247 |
| Montaż | Przewlekany THT |
| Liczba wyprowadzeń | 3 |
| Masa | 6,2 g |
| Ilość | 1 sztuka |
Parametry elektryczne
| Maksymalne napięcie kolektor–emiter | 600 V |
| Napięcie nasycenia kolektor–emiter | 1,9 V – bez podanych warunków pomiaru |
| Ciągły prąd kolektora | 50 A przy 25°C |
| Maksymalna moc strat | 138 W – zależnie od warunków termicznych i chłodzenia |
Podane wartości prądu i mocy wymagają odpowiednich warunków termicznych. Rzeczywista dopuszczalna moc i prąd zależą od temperatury, sposobu montażu oraz skuteczności odprowadzania ciepła.
Wartość napięcia nasycenia kolektor–emiter 1,9 V podano bez warunków pomiarowych, dlatego przy projektowaniu układu należy odnieść się do dokumentacji konkretnego wykonania tranzystora.
Możliwe zamienniki
Poniższe elementy mogą być rozpatrywane jako możliwe zamienniki po dokładnym porównaniu parametrów:
- APT50GN120B2
- IGW100N60H3
- IGW50N60H3
- IGW75N60T
- IRG8P60N120KD
- IRGP4266
- IRGP4690D
- IRGP4790
- IXGH48N60A3
- IXGH50N60B4
- IXGH50N60B4D1
- KGT50N60KDA
- MBQ50T65FESC
Lista nie oznacza bezpośredniej zamienności. Przed zastosowaniem należy porównać parametry elektryczne, szybkość przełączania, wymagania sterowania bramką, obecność diody, obudowę oraz układ wyprowadzeń.
Zdjęcie przedstawia oferowany produkt. Czytelność zdjęcia została zwiększona za pomocą algorytmów AI.
W ofercie posiadamy również tranzystory o innych parametrach.
K1347/I(ID369313667)
41 Przedmioty
5905042150827
Informacje dotyczące bezpieczeństwa – GPSR
| Produkt | Tranzystor IGBT |
| Oznaczenie | G50N60 |
| Maks. napięcie kolektor–emiter | 600 V |
| Ciągły prąd kolektora | 50 A przy 25°C, w określonych warunkach termicznych |
| Maksymalna moc strat | 138 W, zależnie od warunków termicznych i chłodzenia |
| Obudowa | TO-247, THT |
⚠ OSTRZEŻENIE – WYSOKIE NAPIĘCIE
Tranzystor może być stosowany w układach pracujących przy napięciach niebezpiecznych dla życia. Montaż, pomiary i naprawy należy wykonywać przy odłączonym zasilaniu oraz po upewnieniu się, że elementy magazynujące energię w urządzeniu zostały bezpiecznie rozładowane.
Tranzystor może być stosowany w układach pracujących przy napięciach niebezpiecznych dla życia. Montaż, pomiary i naprawy należy wykonywać przy odłączonym zasilaniu oraz po upewnieniu się, że elementy magazynujące energię w urządzeniu zostały bezpiecznie rozładowane.
Zasady bezpiecznego użytkowania
| ✓ | Montaż, demontaż i zmianę połączeń wykonywać przy całkowicie odłączonym zasilaniu. |
| ✓ | Przed montażem potwierdzić układ wyprowadzeń konkretnego wykonania tranzystora. |
| ✓ | Nie przekraczać maksymalnego napięcia kolektor–emiter 600 V. |
| ✓ | Uwzględnić wymagania termiczne i zapewnić odpowiednie odprowadzanie ciepła. |
| ✓ | Po montażu sprawdzić brak zwarć, poprawność lutowania i prawidłowe sterowanie bramką. |
Prąd kolektora i chłodzenie
⚠ 50 A NIE OZNACZA DOPUSZCZALNEGO PRĄDU W KAŻDYCH WARUNKACH
Ciągły prąd kolektora 50 A podano dla temperatury 25°C. Rzeczywista dopuszczalna wartość zależy od temperatury elementu, sposobu chłodzenia, warunków montażu oraz charakteru pracy układu.
Ciągły prąd kolektora 50 A podano dla temperatury 25°C. Rzeczywista dopuszczalna wartość zależy od temperatury elementu, sposobu chłodzenia, warunków montażu oraz charakteru pracy układu.
Moc strat
Maksymalna moc strat 138 W jest wartością zależną od warunków termicznych.
Nie oznacza możliwości ciągłego rozpraszania tej mocy bez odpowiednio zaprojektowanego chłodzenia.
Nie oznacza możliwości ciągłego rozpraszania tej mocy bez odpowiednio zaprojektowanego chłodzenia.
Napięcie nasycenia
Podano napięcie nasycenia kolektor–emiter 1,9 V, jednak bez warunków pomiarowych. Parametru tego nie należy używać do dokładnych obliczeń strat bez odniesienia do dokumentacji konkretnego wykonania.
Sterowanie bramką
Tranzystor IGBT wymaga odpowiedniego sterowania bramką. Niewłaściwy poziom napięcia, zbyt wolne przełączanie lub nieodpowiedni układ sterujący może zwiększać straty mocy i nagrzewanie tranzystora.
ESD
Bramka tranzystora może być wrażliwa na wyładowania elektrostatyczne. Podczas przechowywania, transportu i montażu należy stosować standardowe środki ochrony ESD.
Możliwe zamienniki
Podana lista elementów nie oznacza bezpośredniej zamienności.
Przed zastosowaniem innego tranzystora należy porównać napięcie, prąd, napięcie nasycenia, parametry dynamiczne, szybkość przełączania, wymagania sterowania bramką, obecność lub brak diody, obudowę, układ wyprowadzeń oraz warunki termiczne.
Przed zastosowaniem innego tranzystora należy porównać napięcie, prąd, napięcie nasycenia, parametry dynamiczne, szybkość przełączania, wymagania sterowania bramką, obecność lub brak diody, obudowę, układ wyprowadzeń oraz warunki termiczne.
Montaż i lutowanie
| Obudowa | TO-247 |
| Montaż | Przewlekany THT |
| Lutowanie | Unikać nadmiernego i długotrwałego nagrzewania wyprowadzeń oraz obudowy |
| Chłodzenie | Dobrać do rzeczywistych strat mocy i warunków pracy |
Kontrola przed uruchomieniem
| ✓ | Sprawdzić układ wyprowadzeń konkretnego elementu. |
| ✓ | Sprawdzić maksymalne napięcie występujące w układzie. |
| ✓ | Sprawdzić przewidywany prąd i straty mocy. |
| ✓ | Sprawdzić sposób sterowania bramką. |
| ✓ | Sprawdzić warunki chłodzenia oraz poprawność montażu mechanicznego i elektrycznego. |
| ✓ | Sprawdzić brak zwarć przed podaniem zasilania. |
Przechowywanie
Przechowywać w suchym i czystym miejscu. Chronić przed wilgocią, zabrudzeniem, wyładowaniami elektrostatycznymi, uszkodzeniem mechanicznym obudowy oraz deformacją wyprowadzeń.
Ważne informacje
G50N60 jest tranzystorem IGBT w obudowie TO-247 o maksymalnym napięciu kolektor–emiter 600 V.
Ciągły prąd kolektora 50 A oraz maksymalna moc strat 138 W obowiązują wyłącznie w odpowiednich warunkach termicznych.
Napięcie nasycenia 1,9 V podano bez warunków pomiarowych, dlatego wymaga weryfikacji w dokumentacji konkretnego wykonania przed użyciem w obliczeniach projektowych.
Przed pierwszym uruchomieniem należy sprawdzić pinout, sterowanie bramką, napięcie i prąd w obwodzie, warunki chłodzenia oraz brak zwarć.
| Producent (Private Label) (UE) 2023/988 (GPSR) | |
|---|---|
| Nazwa: | Superelektronika sp. z o.o. |
| Adres: | ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska |
| E-mail: | sklep@superelektronika.pl |
| Osoba odpowiedzialna (UE) 2023/988 (GPSR) | |
| Imię i nazwisko: | Superelektronika sp. z o.o. |
| Adres: | ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska |
| E-mail: | sklep@superelektronika.pl |
Zobacz także
Komentarze (0)
Na razie nie dodano żadnej recenzji.
Tranzystor G50N60