STD105N10F7AG 105N10F7 tranzystor N-MOSFET 100V 80A DPAK TO252 SMD

STD105N10F7AG tranzystor MOSFET N-kanałowy

• Model: STD105N10F7AG
• Oznaczenie na obudowie: 105N10F7, podzielone na dwa wiersze
• Typ: MOSFET N-kanałowy z kanałem wzbogacanym
• Obudowa: DPAK / TO-252
• Montaż: powierzchniowy SMD
• Wbudowana dioda między źródłem a drenem
• Ilość: 1 sztuka

Parametry elektryczne:

• Maksymalne napięcie dren–źródło VDS: 100 V
• Maksymalne napięcie bramka–źródło VGS: ±20 V
• Ciągły prąd drenu ID: do 80 A przy temperaturze obudowy TC = 25°C
• Ciągły prąd drenu ID: do 62 A przy TC = 100°C
• Maksymalna moc strat: 120 W przy TC = 25°C
• Rezystancja RDS(on): typ. 6,8 mΩ, maks. 8 mΩ przy VGS = 10 V i ID = 40 A
• Napięcie progowe bramki VGS(th): 2,5–4,5 V przy ID = 250 µA
• Temperatura złącza i przechowywania: od −55°C do +175°C

Osiągnięcie podanych prądów i mocy wymaga odpowiedniego chłodzenia. Napięcie progowe bramki oznacza początek przewodzenia, a nie pełne otwarcie tranzystora.

Wyprowadzenia:

• 1 — G: bramka
• 2 — D: dren, połączony z metalowym polem TAB
• 3 — S: źródło

Krótka środkowa nóżka jest cechą wykonania tej obudowy.

Zastosowania:

• Przetwornice DC/DC
• Sterowanie silnikami
• Przełączanie obciążeń prądu stałego
• Naprawa układów zasilania

Możliwe zamienniki:

• STD100N10F7 — wariant w obudowie DPAK o zgodnym układzie G–D–S, napięciu 100 V i rezystancji RDS(on) maks. 8 mΩ przy VGS = 10 V. Przed zastosowaniem należy porównać parametry dynamiczne, warunki cieplne oraz wymagania kwalifikacji motoryzacyjnej.

Zdjęcie przedstawia oferowany produkt. Czytelność zdjęcia została zwiększona za pomocą algorytmów AI.

W ofercie posiadamy również tranzystory o innych parametrach.

Pomiar realny