SI2306 A6SHB tranzystor N-MOSFET 30V 3.16 A 0.75 W SOT23 SMD

SI2306 tranzystor MOSFET N-kanałowy

• Model: SI2306
• Oznaczenie na obudowie: A6SHB
• Typ: MOSFET N-kanałowy
• Obudowa: SOT23
• Montaż: powierzchniowy SMD
• Wbudowana dioda

Parametry referencyjne SI2306:

• Maksymalne napięcie dren–źródło VDS: 30 V
• Maksymalne napięcie bramka–źródło VGS: ±20 V
• Prąd drenu ID: do 3.16 A, w warunkach chłodzenia określonych w karcie katalogowej
• Maksymalna moc strat PD: 0.75 W, zależnie od warunków termicznych
• Napięcie progowe bramki VGS(th): 1–3 V przy ID = 250 µA, VDS = VGS
• RDS(on): maks. 47 mΩ przy VGS = 10 V, ID = 3,5 A
• RDS(on): maks. 65 mΩ przy VGS = 4.5 V, ID = 2,8 A
• Temperatura złącza i przechowywania: od −55°C do +150°C

Zastosowania:

• Przełączanie obciążeń prądu stałego
• Układy zarządzania zasilaniem
• Przetwornice niskonapięciowe
• Naprawa urządzeń elektronicznych

Zdjęcie przedstawia oferowany produkt. Czytelność zdjęcia została zwiększona za pomocą algorytmów AI

Pomiar realny