SI2306 A6SHB tranzystor N-MOSFET 30V 3.16 A 0.75 W SOT23 SMD
  • SI2306 A6SHB tranzystor N-MOSFET 30V 3.16 A 0.75 W SOT23 SMD
  • SI2306 A6SHB tranzystor N-MOSFET 30V 3.16 A 0.75 W SOT23 SMD
  • SI2306 A6SHB tranzystor N-MOSFET 30V 3.16 A 0.75 W SOT23 SMD

SI2306 A6SHB tranzystor N-MOSFET 30V 3.16 A 0.75 W SOT23 SMD

2,53 zł
Brutto Dostawa 1-2 dni z InPost

Tranzystor SI2306

Rabaty ilościowe

Ilość Cena jednostkowa Oszczędzasz
20 2,50 zł 0,51 zł
40 2,48 zł 2,02 zł
60 2,45 zł 4,55 zł
100 2,40 zł 12,65 zł
Ilość
Dostępny w magazynie w Mińsku Mazowieckim

Złóż zamówienie w ciągu 16h 12m 58s A Twoją przesyłkę nadamy w dniu dzisiejszym
help_outlineZapytaj o produkt
SI2306 A6SHB tranzystor N-MOSFET 30V 3.16 A 0.75 W SOT23 SMD

SI2306 A6SHB tranzystor N-MOSFET 30V 3.16 A 0.75 W SOT23 SMD

Akceptuję zasady polityki prywatności  

SI2306 tranzystor MOSFET N-kanałowy

Dane podstawowe

Model SI2306
Oznaczenie na obudowie A6SHB
Typ MOSFET N-kanałowy
Obudowa SOT23
Montaż Powierzchniowy SMD
Dioda Wbudowana

Parametry referencyjne SI2306

Maksymalne napięcie dren–źródło VDS 30 V
Maksymalne napięcie bramka–źródło VGS ±20 V
Prąd drenu ID Do 3.16 A, w warunkach chłodzenia określonych w karcie katalogowej
Maksymalna moc strat PD 0.75 W, zależnie od warunków termicznych
Napięcie progowe bramki VGS(th) 1–3 V przy ID = 250 µA, VDS = VGS
RDS(on) Maks. 47 mΩ przy VGS = 10 V, ID = 3,5 A
RDS(on) Maks. 65 mΩ przy VGS = 4.5 V, ID = 2,8 A
Temperatura złącza i przechowywania Od −55°C do +150°C

Zastosowania

  • Przełączanie obciążeń prądu stałego
  • Układy zarządzania zasilaniem
  • Przetwornice niskonapięciowe
  • Naprawa urządzeń elektronicznych
Zdjęcie przedstawia oferowany produkt. Czytelność zdjęcia została zwiększona za pomocą algorytmów AI
Pomiar realny
K1521/D8(ID409921729)
184 Przedmioty
5905042153101

Informacje dotyczące bezpieczeństwa – GPSR

Produkt Tranzystor MOSFET N-kanałowy
Model SI2306
Oznaczenie na obudowie A6SHB
Typ MOSFET N-kanałowy
Obudowa SOT23
Montaż Powierzchniowy SMD
Maks. VDS 30 V
Maks. VGS ±20 V
Prąd drenu ID Do 3.16 A, w warunkach chłodzenia określonych w karcie katalogowej
Maks. moc strat PD 0.75 W, zależnie od warunków termicznych
Temperatura złącza i przechowywania Od −55°C do +150°C
⚠ UWAGA
Tranzystor należy stosować wyłącznie w układach zgodnych z jego parametrami elektrycznymi i termicznymi. Przekroczenie dopuszczalnego napięcia, prądu, mocy strat lub temperatury może spowodować przegrzanie i trwałe uszkodzenie elementu.

Zasady bezpiecznego użytkowania

✓ Przed montażem sprawdzić właściwy typ elementu, orientację oraz rozmieszczenie wyprowadzeń.
✓ Nie przekraczać maksymalnego napięcia dren–źródło VDS = 30 V.
✓ Nie przekraczać maksymalnego napięcia bramka–źródło VGS = ±20 V.
✓ Prąd drenu do 3.16 A jest zależny od warunków chłodzenia i nie może być traktowany jako wartość gwarantowana dla dowolnego montażu.
✓ Montaż, demontaż i zmiany połączeń wykonywać przy odłączonym zasilaniu.
✓ Nie używać elementu uszkodzonego mechanicznie, przegrzanego lub z uszkodzoną obudową.

Napięcie bramki

⚠ WAŻNE
Napięcie progowe bramki VGS(th) = 1–3 V określa warunki początku przewodzenia przy niewielkim prądzie testowym i nie oznacza pełnego wysterowania tranzystora przy takim napięciu.
Parametry RDS(on) podano dla określonych warunków sterowania: maks. 47 mΩ przy VGS = 10 V i ID = 3,5 A oraz maks. 65 mΩ przy VGS = 4.5 V i ID = 2,8 A.

Moc strat i chłodzenie

⚠ RYZYKO PRZEGRZANIA
Maksymalna moc strat 0.75 W zależy od warunków termicznych, sposobu montażu oraz możliwości odprowadzania ciepła przez płytkę PCB. Niewystarczające chłodzenie może znacznie ograniczyć dopuszczalny prąd i moc.
Projektując układ należy uwzględnić straty mocy tranzystora oraz rzeczywistą temperaturę pracy. Nie należy zakładać możliwości ciągłej pracy z maksymalnym prądem i maksymalną mocą jednocześnie bez analizy warunków termicznych.

Wbudowana dioda

Tranzystor posiada wbudowaną diodę charakterystyczną dla struktury MOSFET. Przy projektowaniu obwodu należy uwzględnić jej kierunek przewodzenia oraz zachowanie całego układu podczas przełączania obciążeń.

Montaż i lutowanie

Obudowa SOT23
Montaż Powierzchniowy SMD
Lutowanie Unikać nadmiernego i długotrwałego nagrzewania obudowy oraz wyprowadzeń podczas lutowania.
Kontrola po montażu Sprawdzić prawidłową orientację elementu, jakość lutowania oraz brak zwarć pomiędzy wyprowadzeniami.

Ochrona przed ESD

Bramka tranzystora MOSFET jest wrażliwa na wyładowania elektrostatyczne. Podczas transportu, magazynowania i montażu należy stosować standardowe zasady ochrony elementów elektronicznych przed ESD.

Temperatura

Podany zakres temperatury złącza i przechowywania wynosi od −55°C do +150°C. W rzeczywistym układzie należy zapewnić takie warunki pracy i chłodzenia, aby nie dopuścić do przekroczenia dopuszczalnej temperatury złącza.

Przechowywanie

Przechowywać w suchym i czystym miejscu. Chronić przed wilgocią, wysoką temperaturą, wyładowaniami elektrostatycznymi oraz uszkodzeniami mechanicznymi.

Ważne informacje

Produkt jest elementem elektronicznym przeznaczonym do integracji z odpowiednio zaprojektowanymi układami elektronicznymi.

Typowe zastosowania obejmują przełączanie obciążeń prądu stałego, układy zarządzania zasilaniem, przetwornice niskonapięciowe oraz naprawę urządzeń elektronicznych.

Parametry prądowe i mocy są zależne od rzeczywistych warunków termicznych i sposobu montażu elementu.

Przed zastosowaniem należy zweryfikować zgodność parametrów tranzystora z wymaganiami projektowanego układu.

Producent (Private Label) (UE) 2023/988 (GPSR)
Nazwa: Superelektronika sp. z o.o.
Adres: ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83
05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska
E-mail: sklep@superelektronika.pl
Osoba odpowiedzialna (UE) 2023/988 (GPSR)
Imię i nazwisko: Superelektronika sp. z o.o.
Adres: ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83
05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska
E-mail: sklep@superelektronika.pl

Zobacz także

Klienci którzy zakupili ten produkt kupili również:

Komentarze (0)
Na razie nie dodano żadnej recenzji.