AOD403 D403 tranzystor MOSFET P-kanałowy 30V 70A TO252
  • AOD403 D403 tranzystor MOSFET P-kanałowy 30V 70A TO252
  • AOD403 D403 tranzystor MOSFET P-kanałowy 30V 70A TO252
  • AOD403 D403 tranzystor MOSFET P-kanałowy 30V 70A TO252

AOD403 D403 tranzystor MOSFET P-kanałowy 30V 70A TO252

0,87 €
S DPH Dostawa 1-2 dni z InPost

Množstevní slevy

Počet Jedn. cena Ušetříte
20 0,86 € 0,17 €
40 0,85 € 0,69 €
60 0,84 € 1,56 €
100 0,82 € 4,33 €
Počet
Dostępny w magazynie w Mińsku Mazowieckim

Place an order within 12h 44m 17s And we will send your order today
help_outlineAsk about product
AOD403 D403 tranzystor MOSFET P-kanałowy 30V 70A TO252

AOD403 D403 tranzystor MOSFET P-kanałowy 30V 70A TO252

I accept privacy policy rules  

AOD403 tranzystor MOSFET P-kanałowy

  • Model AOD403
  • Oznaczenie D403
  • Typ MOSFET P-kanałowy
  • Maksymalne napięcie dren–źródło VDS = -30 V
  • Ciągły prąd drenu ID = -70 A (Tc = 25 °C)
  • Niska rezystancja w stanie przewodzenia
  • RDS(on) < 6,2 mΩ @ VGS = -20 V, ID = -20 A
  • RDS(on) < 8 mΩ @ VGS = -10 V, ID = -20 A
  • Niski ładunek bramki i niska rezystancja bramki

Parametry elektryczne:

  • Napięcie progowe bramki VGS(th): -1,5 do -3,5 V (typ. -2,5 V)
  • Maksymalne napięcie bramka–źródło VGS = ±25 V
  • Całkowity ładunek bramki Qg: typ. 51 nC, maks. 61 nC
  • Ładunek bramka–źródło Qgs: typ. 12 nC
  • Ładunek bramka–dren Qgd: typ. 16 nC
  • Transkonduktancja gFS: typ. 42 S
  • Rezystancja bramki Rg: typ. 3,8 Ω
  • Maksymalna energia lawinowa EAS = 125 mJ (L = 0,1 mH)
  • Maksymalna moc strat PD = 90 W (Tc = 25 °C)
  • Impulsowy prąd drenu IDM = -200 A
  • Temperatura złącza i przechowywania: -55 °C do +175 °C

Parametry dynamiczne:

  • Pojemność wejściowa Ciss: typ. 2890 pF
  • Pojemność wyjściowa Coss: typ. 585 pF
  • Pojemność zwrotna Crss: typ. 470 pF
  • Czas opóźnienia załączenia td(on): typ. 16 ns
  • Czas narastania tr: typ. 12 ns
  • Czas opóźnienia wyłączenia td(off): typ. 45 ns
  • Czas opadania tf: typ. 22 ns

Wbudowana dioda:

  • Maksymalny ciągły prąd diody IS = -70 A
  • Napięcie przewodzenia diody VSD: typ. -0,7 V, maks. -1,0 V
  • Czas odzyskiwania zdolności zaporowej trr: typ. 18 ns, maks. 22 ns
  • Ładunek odzyskiwania Qrr: typ. 11 nC, maks. 13 nC

Obudowa i montaż:

  • Obudowa TO-252 (DPAK)
  • Przeznaczony do montażu powierzchniowego (SMD)
  • Maksymalna rezystancja termiczna złącze–obudowa RθJC = 1,6 °C/W
  • Maksymalna rezystancja termiczna złącze–otoczenie RθJA = 50 °C/W

Zastosowania:

  • Układy przełączania dużych prądów
  • Układy sterowania i przełączania obciążeń
  • Przetwornice i układy zasilania
  • Aplikacje wymagające niskiej rezystancji RDS(on)
  • Układy wymagające wysokiej wydajności prądowej i dobrego odprowadzania ciepła

Odpowiedniki: UT70P03, HSU100P03, AOD423, VBZE100P03, HM70P03K, FDD9509L-F085, CMD170P03A, AP100P03D, ASDM30P100KQ

Zdjęcie przedstawia oferowany produkt. Czytelność zdjęcia została zwiększona za pomocą algorytmów AI.
Pomiar realny

K1421/A8(ID402238870)
95 ks
5905042152166

Vysoké napětí a proud – Tento prvek může pracovat při vysokém napětí a proudu, což představuje riziko úrazu elektrickým proudem. Dbejte na maximální hodnoty napětí a proudu a na odpovídající označení, které tyto limity uvádí.

Opatrnost při montáži – Ujistěte se, že komponenty jsou správně namontovány v obvodu, protože nesprávné připojení může vést k přehřátí, poškození nebo požáru.

Horké komponenty – Elektronické komponenty se mohou během provozu zahřívat, proto je důležité dodržovat doporučení týkající se maximální pracovní teploty. Měly by být použity vhodné chladiče nebo chladicí systémy k zajištění účinného odvodu tepla. Také je třeba postupovat opatrně, aby se předešlo popáleninám.

Riziko polknutí – Malé upevňovací součásti, jako jsou šrouby, matice nebo podložky, mohou představovat nebezpečí udušení nebo polknutí, zejména pro děti. Měly by být skladovány na místě mimo dosah dětí.

Rozptýlení malých součástí – Tyto součásti mohou představovat riziko zakopnutí nebo ztráty během práce. Měly by být skladovány v kontejnerech, které zabraňují jejich rozsypání.

Výrobce (Private Label) (EU) 2023/988 (GPSR)
Název: Superelektronika sp. z o.o.
Adresa: ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83
05-300 Mińsk Mazowiecki, Polsko
E-mail: sklep@superelektronika.pl
Odpovědná osoba (EU) 2023/988 (GPSR)
Název: Superelektronika sp. z o.o.
Adresa: ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83
05-300 Mińsk Mazowiecki, Polsko
E-mail: sklep@superelektronika.pl

Mohlo by vás také zajímat

Komentáře (0)
Na tento produkt momentálně není přidána žádná recenze.