AOD403 D403 tranzystor MOSFET P-kanałowy 30V 70A TO252
  • AOD403 D403 tranzystor MOSFET P-kanałowy 30V 70A TO252
  • AOD403 D403 tranzystor MOSFET P-kanałowy 30V 70A TO252
  • AOD403 D403 tranzystor MOSFET P-kanałowy 30V 70A TO252

AOD403 D403 tranzystor MOSFET P-kanałowy 30V 70A TO252

3,65 zł
cu TVA Dostawa 1-2 dni z InPost

Reduceri la volum

Cantitate Pret unitar Ai economisit
20 3,61 zł 0,73 zł
40 3,58 zł 2,92 zł
60 3,54 zł 6,57 zł
100 3,47 zł 18,25 zł
Cantitate
Dostępny w magazynie w Mińsku Mazowieckim

Place an order within 13h 24m 11s And we will send your order today
help_outlineAsk about product
AOD403 D403 tranzystor MOSFET P-kanałowy 30V 70A TO252

AOD403 D403 tranzystor MOSFET P-kanałowy 30V 70A TO252

I accept privacy policy rules  

AOD403 tranzystor MOSFET P-kanałowy

  • Model AOD403
  • Oznaczenie D403
  • Typ MOSFET P-kanałowy
  • Maksymalne napięcie dren–źródło VDS = -30 V
  • Ciągły prąd drenu ID = -70 A (Tc = 25 °C)
  • Niska rezystancja w stanie przewodzenia
  • RDS(on) < 6,2 mΩ @ VGS = -20 V, ID = -20 A
  • RDS(on) < 8 mΩ @ VGS = -10 V, ID = -20 A
  • Niski ładunek bramki i niska rezystancja bramki

Parametry elektryczne:

  • Napięcie progowe bramki VGS(th): -1,5 do -3,5 V (typ. -2,5 V)
  • Maksymalne napięcie bramka–źródło VGS = ±25 V
  • Całkowity ładunek bramki Qg: typ. 51 nC, maks. 61 nC
  • Ładunek bramka–źródło Qgs: typ. 12 nC
  • Ładunek bramka–dren Qgd: typ. 16 nC
  • Transkonduktancja gFS: typ. 42 S
  • Rezystancja bramki Rg: typ. 3,8 Ω
  • Maksymalna energia lawinowa EAS = 125 mJ (L = 0,1 mH)
  • Maksymalna moc strat PD = 90 W (Tc = 25 °C)
  • Impulsowy prąd drenu IDM = -200 A
  • Temperatura złącza i przechowywania: -55 °C do +175 °C

Parametry dynamiczne:

  • Pojemność wejściowa Ciss: typ. 2890 pF
  • Pojemność wyjściowa Coss: typ. 585 pF
  • Pojemność zwrotna Crss: typ. 470 pF
  • Czas opóźnienia załączenia td(on): typ. 16 ns
  • Czas narastania tr: typ. 12 ns
  • Czas opóźnienia wyłączenia td(off): typ. 45 ns
  • Czas opadania tf: typ. 22 ns

Wbudowana dioda:

  • Maksymalny ciągły prąd diody IS = -70 A
  • Napięcie przewodzenia diody VSD: typ. -0,7 V, maks. -1,0 V
  • Czas odzyskiwania zdolności zaporowej trr: typ. 18 ns, maks. 22 ns
  • Ładunek odzyskiwania Qrr: typ. 11 nC, maks. 13 nC

Obudowa i montaż:

  • Obudowa TO-252 (DPAK)
  • Przeznaczony do montażu powierzchniowego (SMD)
  • Maksymalna rezystancja termiczna złącze–obudowa RθJC = 1,6 °C/W
  • Maksymalna rezystancja termiczna złącze–otoczenie RθJA = 50 °C/W

Zastosowania:

  • Układy przełączania dużych prądów
  • Układy sterowania i przełączania obciążeń
  • Przetwornice i układy zasilania
  • Aplikacje wymagające niskiej rezystancji RDS(on)
  • Układy wymagające wysokiej wydajności prądowej i dobrego odprowadzania ciepła

Odpowiedniki: UT70P03, HSU100P03, AOD423, VBZE100P03, HM70P03K, FDD9509L-F085, CMD170P03A, AP100P03D, ASDM30P100KQ

Zdjęcie przedstawia oferowany produkt. Czytelność zdjęcia została zwiększona za pomocą algorytmów AI.
Pomiar realny

K1421/A8(ID402238870)
95 Produse
5905042152166

Tensiune și Curent Mare – Acest element poate funcționa la tensiuni și curenți mari, ceea ce prezintă un risc de electrocutare. Acordați atenție valorilor maxime ale tensiunii și curentului, precum și marcajelor corespunzătoare care indică aceste limite.

Precauție în timpul montajului – Asigurați-vă că componentele sunt montate corect în circuit, deoarece conexiunile incorecte pot duce la supraîncălzire, daune sau incendiu.

Componente fierbinți – Componentele electronice se pot încălzi în timpul funcționării, așa că este important să respectați recomandările referitoare la temperatura maximă de funcționare. Trebuie utilizate răcitoare sau sisteme de răcire adecvate pentru a asigura o disipare eficientă a căldurii. De asemenea, trebuie avută grijă pentru a evita arsurile.

Pericol de înghițire – Componentele de fixare mici, cum ar fi șuruburile, piulițele sau șaibele, pot reprezenta un pericol de înghițire sau sufocare, în special pentru copii. Acestea trebuie depozitate într-un loc inaccesibil copiilor.

Împrăștierea componentelor mici – Acestea pot reprezenta un pericol de alunecare sau pierdere în timpul lucrului. Trebuie depozitate în recipiente care să prevină răspândirea.

Producător (Marcă privată) (UE) 2023/988 (GPSR)
Denumire: Superelektronika sp. z o.o.
Adresă: ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83
05-300 Mińsk Mazowiecki, Polonia
E-mail: sklep@superelektronika.pl
Persoana responsabilă (UE) 2023/988 (GPSR)
Denumire: Superelektronika sp. z o.o.
Adresă: ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83
05-300 Mińsk Mazowiecki, Polonia
E-mail: sklep@superelektronika.pl

S-ar putea sa-ti placa

Comentarii (0)
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.