| Model | G60N100BNTD |
| Označení | G60N100 BNDT |
| Typ | Trench IGBT s rychlou zpětnou diodou FRD |
| Napětí kolektor-emitor VCES | 1000 V |
| Proud kolektoru IC | 60 A, při 100°C – 30 A |
| Ztrátový výkon Ptot | 250 W |
| VCE(sat) | Typ. 2,1 V při 60 A |
| Doba vypnutí | Typ. 220 ns |
| Dioda | Vestavěná rychlá dioda Fast Recovery Diode – FRD |
| Pouzdro | TO-264 |
| Hmotnost | 9,5 g |
| Produkt | IGBT tranzistor G60N100 |
| Model | G60N100BNTD |
| VCES | 1000 V |
| IC | 60 A, při 100°C – 30 A |
| Ptot | 250 W |
| Pouzdro | TO-264 |
| ✓ | Před montáží ověřte model, zapojení vývodů a kompatibilitu. |
| ✓ | Nepřekračujte VCES 1000 V ani povolený proud a výkon. |
| ✓ | Zajistěte odpovídající chlazení a správné upevnění k chladiči. |
| ✓ | Nepoužívejte mechanicky poškozenou nebo přehřátou součástku. |
| ✓ | Dodržujte standardní ochranu proti ESD. |
| Výrobce (Private Label) (EU) 2023/988 (GPSR) | |
|---|---|
| Název: | Superelektronika sp. z o.o. |
| Adresa: | ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polsko |
| E-mail: | sklep@superelektronika.pl |
| Odpovědná osoba (EU) 2023/988 (GPSR) | |
| Název: | Superelektronika sp. z o.o. |
| Adresa: | ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polsko |
| E-mail: | sklep@superelektronika.pl |
Mohlo by vás také zajímat