Tranzystor G60N100 WYLUTY
| Model | G60N100BNTD |
| Oznaczenie | G60N100 BNDT |
| Typ | Trench IGBT z szybką diodą zwrotną FRD |
| Napięcie kolektor-emiter VCES | 1000 V |
| Prąd kolektora IC | 60 A, przy 100°C – 30 A |
| Moc strat Ptot | 250 W |
| VCE(sat) | Typ. 2,1 V przy 60 A |
| Czas wyłączania | Typ. 220 ns |
| Dioda | Wbudowana szybka dioda zwrotna Fast Recovery Diode – FRD |
| Obudowa | TO-264 |
| Waga | 9,5 g |
| Produkt | Tranzystor IGBT G60N100 |
| Model | G60N100BNTD |
| VCES | 1000 V |
| IC | 60 A, przy 100°C – 30 A |
| Ptot | 250 W |
| Obudowa | TO-264 |
| ✓ | Przed montażem sprawdzić model, układ wyprowadzeń oraz zgodność z naprawianym urządzeniem. |
| ✓ | Nie przekraczać napięcia VCES 1000 V ani dopuszczalnego prądu i mocy elementu. |
| ✓ | Zapewnić odpowiednie chłodzenie oraz prawidłowy montaż do radiatora. |
| ✓ | Nie używać elementu z pękniętą obudową, uszkodzonymi wyprowadzeniami lub śladami przegrzania. |
| ✓ | Podczas montażu stosować standardowe zasady ochrony ESD. |
| Obudowa | TO-264 |
| Radiator | Zapewnić prawidłowy docisk, odprowadzanie ciepła i wymaganą izolację elektryczną, jeżeli przewiduje ją konstrukcja urządzenia. |
| Lutowanie | Unikać nadmiernego i długotrwałego nagrzewania wyprowadzeń i obudowy. |
| Kontrola | Po montażu sprawdzić poprawność połączeń, izolację oraz brak zwarć. |
| Producent (Private Label) (UE) 2023/988 (GPSR) | |
|---|---|
| Nazwa: | Superelektronika sp. z o.o. |
| Adres: | ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska |
| E-mail: | sklep@superelektronika.pl |
| Osoba odpowiedzialna (UE) 2023/988 (GPSR) | |
| Imię i nazwisko: | Superelektronika sp. z o.o. |
| Adres: | ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska |
| E-mail: | sklep@superelektronika.pl |
Zobacz także