M27C801 pamięć UV pamięć EPROM 8 Mbit DIP32 OTP

M27C801 pamięć EPROM UV

• 5 V ± 10% Napięcie zasilania w trybie odczytu.
• Czas dostępu: 45 ns.
• Niski pobór prądu: – Prąd aktywny: 35 mA przy 5 MHz – Prąd czuwania: 100 μA.
• Napięcie programowania: 12,75 V ± 0,25 V.
• Czas programowania: 50 μs/słowo.

Aby zmienić dane w EPROM-ie, konieczne jest skierowanie na niego odpowiedniego światła UV, co odróżnia je od innych typów pamięci programowalnych.

Zdjęcie realne.