TPCA8016-H TPCA8016 8016 N-Channel MOSFET U-MOSIII 60V 25A 2-5Q1A SOP8
15,27 zł
Brutto
Dostawa 1-2 dni z InPost
Tranzystor MOSFET TPCA8016-H
- Model TPCA8016-H
- Oznaczenie TPCA8016-H
- Typ: N-Channel MOSFET (U-MOSIII)
- Obudowa: TOSHIBA 2-5Q1A (zgodna z SOP-8)
- Typ montażu: SMD powierzchniowy
Parametry elektryczne (przy Ta = 25°C)
Napięcia i prądy:
- VDSS – Napięcie dren-źródło: 60 V
- VGSS – Napięcie bramka-źródło: ±20 V
- ID – Prąd drenu (ciągły): 25 A
- IDP – Prąd drenu (pulsacyjny): 75 A
- Przy VGS = 10 V: 16 mΩ typ.
- Przy VGS = 4.5 V: 20 mΩ typ.
- Vth – Napięcie progowe bramki: 1.1–2.3 V
- Qg – Całkowity ładunek bramki: 22 nC (typ.)
- QSW – Ładunek przełączania: 6.6 nC (typ.)
- Rise time (tr): 4 ns
- Turn-on time (ton): 10 ns
- Fall time (tf): 3 ns
- Turn-off time (toff): 19 ns
- Tch – Maks. temperatura kanału: 150°C
- Rth(ch-c) – Opór termiczny kanał-obudowa: 2.78°C/W
- Rth(ch-a) – kanał-powietrze: 44.6–78.1°C/W (zależnie od PCB)
Przetwornice DC-DC (notebooki, urządzenia przenośne)
Aplikacje wymagające szybkiego przełączania i niskich strat
Zdjęcie realne
K1235/T(ID341516857)
24 Przedmioty
5905427019497
| Producent (Private Label) (UE) 2023/988 (GPSR) | |
|---|---|
| Nazwa: | Superelektronika sp. z o.o. |
| Adres: | ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska |
| E-mail: | sklep@superelektronika.pl |
| Osoba odpowiedzialna (UE) 2023/988 (GPSR) | |
| Imię i nazwisko: | Radosław Jaromin |
| Adres: | Arynów 46A 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska |
| E-mail: | radoslaw.jaromin@gmail.com |
Komentarze (0)
Na razie nie dodano żadnej recenzji.