Tranzystor MOSFET TPCA8016-H
- Model TPCA8016-H
- Oznaczenie TPCA8016-H
- Typ: N-Channel MOSFET (U-MOSIII)
- Obudowa: TOSHIBA 2-5Q1A (zgodna z SOP-8)
- Typ montażu: SMD powierzchniowy
Parametry elektryczne (przy Ta = 25°C)
Napięcia i prądy:
- VDSS – Napięcie dren-źródło: 60 V
- VGSS – Napięcie bramka-źródło: ±20 V
- ID – Prąd drenu (ciągły): 25 A
- IDP – Prąd drenu (pulsacyjny): 75 A
RDS(on):
- Przy VGS = 10 V: 16 mΩ typ.
- Przy VGS = 4.5 V: 20 mΩ typ.
- Vth – Napięcie progowe bramki: 1.1–2.3 V
- Qg – Całkowity ładunek bramki: 22 nC (typ.)
- QSW – Ładunek przełączania: 6.6 nC (typ.)
Czas przełączania (typ.):- Rise time (tr): 4 ns
- Turn-on time (ton): 10 ns
- Fall time (tf): 3 ns
- Turn-off time (toff): 19 ns
Parametry termiczne:- Tch – Maks. temperatura kanału: 150°C
- Rth(ch-c) – Opór termiczny kanał-obudowa: 2.78°C/W
- Rth(ch-a) – kanał-powietrze: 44.6–78.1°C/W (zależnie od PCB)
Zastosowania:Przetwornice DC-DC (notebooki, urządzenia przenośne)
Aplikacje wymagające szybkiego przełączania i niskich strat
Zdjęcie realne
K1235/T(ID341516857)
24 Przedmioty
5905427019497