PMV31XN WM4 M4 tranzystor N-MOSFET 20V 5.9A 2W SOT23 SMD
zł8.60
VAT included
delivery in Poland 1-2 dni InPost
PMV31XN tranzystor MOSFET N-kanałowy
- Model PMV31XN
- Oznaczenie %M4 - gdzie „%” oznacza kod miejsca produkcji
- Typ MOSFET N-kanałowy TrenchMOS
- Maksymalne napięcie dren–źródło VDS = 20 V
- Ciągły prąd drenu ID = 5,9 A (Tsp = 25 °C, VGS = 4,5 V)
- Ciągły prąd drenu ID = 3,75 A (Tsp = 100 °C, VGS = 4,5 V)
- Niska rezystancja w stanie przewodzenia
- RDS(on) typ. 31 mΩ, maks. 37 mΩ @ VGS = 4,5 V, ID = 1,5 A
- RDS(on) typ. 44 mΩ, maks. 53 mΩ @ VGS = 2,5 V, ID = 1 A
- Bardzo szybkie przełączanie
- Niskie napięcie progowe bramki
Parametry elektryczne:
- Napięcie przebicia dren–źródło V(BR)DSS: min. 20 V @ ID = 250 µA, VGS = 0 V, Tj = 25 °C
- Napięcie progowe bramki VGS(th): 0,5 do 1,5 V @ ID = 1 mA, VDS = VGS, Tj = 25 °C
- Maksymalne napięcie bramka–źródło VGS = ±12 V
- Prąd upływu drenu IDSS: maks. 1 µA @ VDS = 20 V, VGS = 0 V, Tj = 25 °C
- Prąd upływu bramki IGSS: typ. 10 nA, maks. 100 nA @ VGS = ±12 V
- Całkowity ładunek bramki Qg: typ. 5,8 nC
- Ładunek bramka–źródło Qgs: typ. 1,4 nC
- Ładunek bramka–dren Qgd: typ. 1,7 nC
- Maksymalna moc strat Ptot = 2 W (Tsp = 25 °C)
- Impulsowy prąd drenu IDM = 23,7 A (tp ≤ 10 µs)
- Temperatura złącza: -55 °C do +150 °C
- Temperatura przechowywania: -55 °C do +150 °C
Parametry dynamiczne:
- Pojemność wejściowa Ciss: typ. 410 pF
- Pojemność wyjściowa Coss: typ. 115 pF
- Pojemność zwrotna Crss: typ. 80 pF
- Czas opóźnienia załączenia td(on): typ. 10 ns
- Czas narastania tr: typ. 15 ns
- Czas opóźnienia wyłączenia td(off): typ. 25 ns
- Czas opadania tf: typ. 12 ns
Wbudowana dioda:
- Maksymalny ciągły prąd diody IS = 1,7 A (Tsp = 25 °C)
- Napięcie przewodzenia diody VSD: typ. 0,75 V, maks. 1,2 V @ IS = 1,5 A, VGS = 0 V, Tj = 25 °C
Obudowa i montaż:
- Obudowa SOT23 / TO-236AB
- Przeznaczony do montażu powierzchniowego SMD
- Maksymalna rezystancja termiczna złącze–punkt lutowniczy Rth(j-sp) = 60 K/W
Zastosowania:
- Sterowanie silnikami zasilanymi bateryjnie
- Szybkie układy przełączające
- Zasilacze urządzeń typu set-top box
- Przetwornice i układy zasilania niskonapięciowego
- Aplikacje wymagające niskiej rezystancji RDS(on)
Odpowiedniki: CR3416, WM02N75M2, MTB030N04N3, KI010NDS, VB1240X, VB1218X, SQ2310ES
Zdjęcie przedstawia oferowany produkt. Czytelność zdjęcia została zwiększona za pomocą algorytmów AI.
Pomiar realny
K1434/M4(ID403573618)
50 Items
5905042152296
High Voltage and Current – This component can operate at high voltages and currents, posing a risk of electric shock. Pay attention to the maximum voltage and current values, as well as appropriate markings indicating these limits.
Caution During Installation – Ensure that the components are correctly mounted in the circuit, as improper connections can lead to overheating, damage, or fire.
Hot Components – Electronic components may heat up during operation, so it is important to follow the recommendations regarding the maximum operating temperature. Appropriate heat sinks or cooling systems should be used to ensure effective heat dissipation. Caution should also be exercised to avoid burns.
Swallowing Hazard – Small fastening components, such as screws, nuts, or washers, can pose a choking or swallowing hazard, especially for children. They should be stored in a place out of reach of children.
Spreading of Small Components – These components can pose a tripping or loss hazard during work. They should be stored in containers that prevent spillage.
| Manufacturer (Private Label) (EU) 2023/988 (GPSR) | |
|---|---|
| Name: | Superelektronika sp. z o.o. |
| Address: | ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Poland |
| E-mail: | sklep@superelektronika.pl |
| Responsible Person (EU) 2023/988 (GPSR) | |
| Name: | Superelektronika sp. z o.o. |
| Address: | ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Poland |
| E-mail: | sklep@superelektronika.pl |
Comments (0)
No customer reviews for the moment.