BFU590 BFU590GX BFU590G tranzystor RF NPN 30V 300mA 8.5GHz 2W SOT223
zł11.67
delivery in Poland 1-2 dni InPost
Tranzystor NPN szerokopasmowy RF BFU590G
- Model: BFU590G
- Oznaczenie: BFU590
- Produkcja: NXP Semiconductors
- Obudowa: SOT223
- Napięcie kolektor–baza (VCB) = 30 V
- Napięcie kolektor–emiter (VCE) =
- 16 V (przy otwartej bazie)
- 30 V (przy zwartej bazie)
- Napięcie emiter–baza (VEB) = 3 V
- Prąd kolektora (IC) = 300 mA
- Moc strat (Ptot) = 2000 mW (Tsp ≤ 90°C)
- Temperatura przechowywania (Tstg) = -65…+150°C
- Temperatura złącza (Tj) = do 150°C
- Charakterystyki elektryczne (Typical / DC / RF)
- Wzmocnienie prądowe (hFE) = 60…130 (typ. 95)
- (IC = 80 mA, VCE = 8 V)
- Częstotliwość przejścia (fT) = 8.5 GHz (typ.)
- (IC ≈ 50–80 mA, VCE = 8 V)
- Maksymalne wzmocnienie mocy (Gp(max)) = 13 dB (typ.) @ 900 MHz
- Moc wyjściowa przy 1 dB kompresji (PL(1dB)) =
- 21.5 dBm @ 900 MHz (typ.)
- Pojemność kolektora (Cc) = 1.9 pF (typ.)
- (VCB = 8 V, f = 1 MHz)
- Prąd upływu ICBO = < 1 nA
- (VCB = 8 V)
- Parametry termiczne
- Opór termiczny złącze–punkt lutowania
- Rth(j-sp) = 30 K/W
- Wzmacniacze szerokopasmowe RF
- Wzmacniacze średniej mocy (do ok. 500 mW @ 433 / 866 MHz)
- Wzmacniacze dużych sygnałów (ISM)
- Aplikacje motoryzacyjne (AEC-Q101)
- Układy RF do ~2 GHz
Zdjęcie realne
Pomiar realny
K1374/BD(ID388596829)
20 Items
5905042151510
Comments (0)
No customer reviews for the moment.