PM02N65 2N65 tranzystor MOSFET 650V 2A TO252
  • PM02N65 2N65 tranzystor MOSFET 650V 2A TO252
  • PM02N65 2N65 tranzystor MOSFET 650V 2A TO252
  • PM02N65 2N65 tranzystor MOSFET 650V 2A TO252

PM02N65 2N65 tranzystor MOSFET 650V 2A TO252

zł5.24
VAT included delivery in Poland 1-2 dni InPost

Volume discounts

Quantity Unit price You Save
20 zł5.19 zł1.05
40 zł5.14 zł4.19
60 zł5.08 zł9.43
100 zł4.98 zł26.20
Quantity
Available in Polish warehouse

Place an order within 21h 18m 36s And we will send your order today
help_outlineAsk about product
PM02N65 2N65 tranzystor MOSFET 650V 2A TO252

PM02N65 2N65 tranzystor MOSFET 650V 2A TO252

I accept privacy policy rules  

PM02N65 tranzystor MOSFET N-kanałowy

  • Model PM02N65
  • Oznaczenie PM02N65
  • Seria 2N65
  • Typ MOSFET N-kanałowy
  • Maksymalne napięcie dren–źródło VDS = 650 V
  • Ciągły prąd drenu ID = 2,0 A (Tc = 25 °C)
  • Niska rezystancja w stanie przewodzenia
  • RDS(on) ≤ 5,5 Ω @ VGS = 10 V
  • Szybkie czasy załączania i wyłączania
  • Zwiększona odporność na strome narastanie napięcia (improved dv/dt capability)

Parametry elektryczne:

  • Napięcie progowe bramki VGS(th): 2,0 – 4,0 V
  • Całkowity ładunek bramki Qg: typ. 8,4 nC
  • Maksymalna energia pojedynczego impulsu lawinowego EAS: 207 mJ
  • Maksymalna moc strat PD: 44 W (Tc = 25 °C)
  • Temperatura pracy złącza –55 °C do +150 °C

Wbudowana dioda:

  • Maksymalny prąd ciągły diody IS = 1,9 A
  • Maksymalny prąd impulsowy ISM = 8 A
  • Spadek napięcia VSD ≤ 1,4 V

Obudowa i montaż:

  • Obudowa TO-252 (DPAK)
  • Przeznaczony do montażu powierzchniowego (SMD)
  • Zakres temperatur pracy: –40 °C do +105 °C (obudowa)

Zastosowania:

  • Przetwornice impulsowe AC/DC i DC/DC
  • Układy sterowania mocy
  • Zasilacze pomocnicze i przemysłowe
  • Układy współpracujące z liniowymi produktami PMET (zgodnie z zaleceniem producenta)

Zamienniki: 2N65M, 2N70, 2N70K, 2SK1945-01S, AP2N65K, BRCS4N80DP, BRD2N65, BRD3N80, BRD4N65, BRD5N65, BRD65R600C, BRD6N70, BRD7N65, CEU05N65, CJU02N65, CJU04N65, CJU04N65A, CM2N65C, CM4N65C, CS4N70A4HD, FTD04N65C, FTD06N70C, FTK3N80D, FTK4N65D, FTK4N70D, FTK6N70D, G4N65, HCD65R2K2, HCD65R2K7, HMS4N70K, HY2N65D, IPD65R190C7, IPD65R1K4C6, IPD65R225C7, IPD65R250C6, IPD65R250E6, IPD65R950C6, IPD70R1K4P7S, IPD70R2K0CE, IPD70R900P7S, IPD80R1K0CE, IPD80R1K4CE, IPD80R2K4P7, JCS2N65R, JCS4N65R, JCS4N90RH, KF5N65D, MCU04N65, MPVD2N65BK, NCE65N760K, NCE65T2K4K, NCE70N1K4K, OSG07N65DF, OSG60R2K2DSF, OSG65R1K4DF, OSG65R2K4DF, OSG65R2KDF, OSG65R760DF, OSG65R900DF, OSG65R900DTF, OSG70R1K4DF, OSG70R1KDF, OSG70R2K6DF, OSG70R900DTF, OSG80R1K4DF, SDU04N65, SJMN1K6R70D, SRM4N65DTR, SRM7N65DTR-E1, SSF11NS65UD, SSF3N80D, SSF5NS65UD, SSF5NS70D, SSF6NS70D, SSF7NS65UD, SVF2N65D, SWD2N65K, SWD4N65K2, SWD4N70K2, TPD65R1K5M, TPD65R940C, TPD70R1K5M, WMO07N65C4, WMO07N70C4, WMO08N65C4, WMO08N70C4

Zdjęcie realne
Pomiar realny

K1358/2II(ID371558486)
75 Items
5905042150971
Manufacturer (Private Label) (EU) 2023/988 (GPSR)
Name: Superelektronika sp. z o.o.
Address: ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83
05-300 Mińsk Mazowiecki, Poland
E-mail: sklep@superelektronika.pl
Responsible Person (EU) 2023/988 (GPSR)
Full Name: Radosław Jaromin
Address: Arynów 46A
05-300 Mińsk Mazowiecki, Poland
E-mail: radoslaw.jaromin@gmail.com

Comments (0)
No customer reviews for the moment.