• New
2SC1775A 2SC1775 C1775 tranzystor bipolarny epitaksjalny NPN 120V 50mA TO92
search
  • 2SC1775A 2SC1775 C1775 tranzystor bipolarny epitaksjalny NPN 120V 50mA TO92
  • 2SC1775A 2SC1775 C1775 tranzystor bipolarny epitaksjalny NPN 120V 50mA TO92
  • 2SC1775A 2SC1775 C1775 tranzystor bipolarny epitaksjalny NPN 120V 50mA TO92

2SC1775A 2SC1775 C1775 tranzystor bipolarny epitaksjalny NPN 120V 50mA TO92

zł3.46
VAT included delivery in Poland 1-2 dni InPost

Volume discounts

Quantity Unit price You Save
20 zł3.43 zł0.69
40 zł3.39 zł2.77
60 zł3.36 zł6.23
100 zł3.29 zł17.30
Quantity
Available in Polish warehouse

Place an order within 06h 17m 34s And we will send your order today
help_outlineAsk about product
2SC1775A 2SC1775 C1775 tranzystor bipolarny epitaksjalny NPN 120V 50mA TO92

2SC1775A 2SC1775 C1775 tranzystor bipolarny epitaksjalny NPN 120V 50mA TO92

I accept privacy policy rules  

2SC1775A tranzystor NPN

  • Model 2SC1775A
  • Oznaczenie C1775
  • Typ NPN, tranzystor bipolarny, epitaksjalny
  • Obudowa TO92
Maksymalne parametry :
  • Napięcie kolektor–baza (VCBO): 120 V
  • Napięcie kolektor–emiter (VCEO): 120 V
  • Napięcie emiter–baza (VEBO): 5 V
  • Maksymalny prąd kolektora (IC): 50 mA
  • Moc strat kolektora (PC): 300 mW
  • Maksymalna temperatura złącza (Tj): 150 °C
  • Zakres temperatur przechowywania (Tstg): –50 °C … +150 °C
Charakterystyki elektryczne:
  • Napięcie przebicia kolektor–emiter (V(BR)CEO): ≥ 120 V przy IC = 1 mA
  • Prąd upływu kolektor–baza (ICBO): ≤ 0,5 µA przy VCB = 100 V
  • Wzmocnienie prądowe stałoprądowe (hFE1): 400 – 1200 przy VCE = 12 V, IC = 2 mA
  • Wzmocnienie prądowe przy niskim prądzie (hFE2): ≥ 160 przy VCE = 12 V, IC = 0,1 mA
  • Napięcie baza–emiter (VBE): ≤ 0,75 V przy VCE = 12 V, IC = 2 mA
  • Nasycenie kolektor–emiter (VCE(sat)): ≤ 0,5 V przy IC = 10 mA, IB = 1 mA
  • Częstotliwość graniczna (fT): ok. 200 MHz przy VCE = 12 V, IC = 2 mA
  • Pojemność wyjściowa (Cob): ok. 1,6 pF przy VCB = 25 V, IE = 0, f = 1 MHz
Figura szumu (NF):
  • ≤ 5 dB przy VCE = 6 V, IC = 50 µA, Rg = 50 kΩ, f = 10 Hz
  • ≤ 1,5 dB przy f = 1 kHz (pozostałe warunki takie same)
Grupowanie hFE:
  • Grupa E: 400 – 800
  • Grupa F: 600 – 1200
Odpowiednik komplementarny dla tego tranzystora to2SA872 /A (PNP)
Zamienniki : 2SC3467F, 2SC3468F, 2SD1659, 2SD1701, 2SD1978, 2SD2206A, 2SD2635, 2SD756, 2SD756A, 3DG2240, CSC2240, CSC2240BL, CSC2240GR, ECG26, ECG90, FTC3200, H3200, EPS0005, KTC3200, KTC3400, SK3275, SK3931, SML2182

Zdjęcie realne
Pomiar realny
Tranzystory nowe, brak śladów lutowania i montażu
K1298/2S(ID356388730)
93 Items
5905427019985
Comments (0)
No customer reviews for the moment.