NCE82H140 82H140 TO220 tranzystor MOSFET 140A 82V

Name: NCE82H140 82H140 TO220 tranzystor MOSFET 140A 82V
Brand: SUPERELEKTRONIKA sp. z o. o.
SKU: K1253/NE(ID348927534)
Price: 10.69 PLN
Availability: OutOfStock

zł10.69

VAT included

Volume discounts

Quantity	Unit price	You Save
20	zł10.58	zł2.14
40	zł10.48	zł8.55
60	zł10.37	zł19.24
100	zł10.16	zł53.45

Quantity

Out-of-Stock

Ask about product

I accept the general terms of use and the RODO privacy policy. View terms and conditions

Tranzystor NCE82H140

Symbol: NCE82H140
Typ: N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Obudowa: TO220
Technologia: Trench MOSFET
Waga 2.1g

BVDSS (napięcie dren-źródło): 80 V
ID (ciągły prąd drenu): 80 A (TC = 25 °C, VGS = 10 V)
ID,pulse (impulsowy prąd drenu): 320 A
VGS (dopuszczalne napięcie bramka-źródło): ±20 V
PTOT (moc strat): 300 W (TC = 25 °C)
Zakres temperatur pracy: -55 do +150 °C

Maksymalne wartości graniczne (TC = 25°C)

VDS (napięcie dren-źródło): 82 V
VGS (napięcie bramka-źródło): ±20 V
ID (ciągły prąd drenu): 140 A
ID (100°C): 99 A
IDM (prąd impulsowy): 480 A
PD (moc strat): 220 W
EAS (energia lawinowa): 1200 mJ
Zakres temperatury pracy i magazynowania: -55 °C do 175 °C

Charakterystyka elektryczna (TC = 25°C)

BVDSS (napięcie przebicia): 82 V (przy ID = 250 µA)
IDSS (prąd upływu): ≤ 1 µA przy VDS = 82 V
IGSS (prąd upływu bramki): ≤ ±100 nA przy VGS = ±20 V
VGS(th) (napięcie progowe bramki): 2–4 V
RDS(on): typ. 4.3 mΩ, max 6 mΩ przy VGS = 10 V i ID = 20 A
gFS (transkonduktancja): 65 S

Parametry dynamiczne

Pojemność wejściowa (Ciss): 7900 pF
Pojemność wyjściowa (Coss): 445 pF
Pojemność sprzężenia zwrotnego (Crss): 384 pF
Ładunek bramki Qg: 158 nC
Qgs: 32 nC, Qgd: 51 nC

Czasy przełączania (VDD=30 V, RL=1 Ω, VGS=10 V, Rg=2.5 Ω)

td(on): 23 ns
tr: 42 ns
td(off): 75 ns
tf: 26 ns

Dioda zwrotna

VSD: 1.2 V przy IS = 140 A
trr (czas odzysku): 50 ns
Qrr: 110 nC

Parametry termiczne

RθJC (opór termiczny złącze–obudowa): 0.68 °C/W
Współczynnik deratingu: 1.47 W/°C

Zamienniki: AUIRFB4110, AUIRLB4030, BLP028N10‑P, BLP03N08‑P, BLP03N10‑P, BLP05N15‑P, CSD19535KCS, CSD19536KCS, CSP10N4P2, DHS025N88, DHS030N88, DHS035N10, DHS044N12, DSG045N14N, DSG052N14N, CFDP045N10AF102, HGP020N10SGP020N10S, HGP027N10AGP027N10A, HGP039N12SGP039N12S, HGP042N10AGP042N10A, HGP042N10ALGP042N10AL, HGP043N15SGP043N15S, HGP047N12SGP047N12S, HGP050N14SGP050N14S, HY029N10P, HYG035N10NS2P, IRFB4110IRF4110, IRFB4110G, IRFB4110Q, IRLB4030, IRLB4030PBF, IXTP200N085T, JMSH1002ACSH1002A, JMSH1002BCSH1002B, JMSH1002NCSH1002N, JMSH1002YCSH1002Y, JMSH1003NCSH1003N, JMSH1003TCSH1003T, JMSH1004ACSH1004A, JMSH1103TCSH1103T, JMSH1504NCSH1504N, MC10N005, MC11N005, MPGP10R033, NCE82H140, NCE85H21C, NCEP028N85, NCEP031N85M, NCEP033N10, NCEP033N10M, NCEP033N85, NCEP033N85M, NCEP035N10M, NCEP040N12, NCEP12T15, PDP0980, RU1H150R, RUH1H150R‑A, RUH1H220R, RUH85150R, RUH85210R, SE100180GA, SFG150N10PFSFG150N10P, SFG170N10PFSFG170N10P, SFP030N100C3030N100C3, SFP035N95C3, SFP043N100C3043N100C3, SFP045N100C3045N100C3, SFP046N150C3, SM1A50NHF, SWP036R10E8SSW036R10E8S, VBZM80N03, WMK028N10HG2, WMK028N10HGS, WMK036N12HGS, JMTK440P04A, JMTK4006A, JMTK4005A, JMTK4004A, JMTK340P03A, JMTK330N06A, JMTK320N10A, JMTK3006E, JMTK3006D, JMTK3006C, JMTK3006B, JMTK10N10A, JMTK100P03A, JMTK100N03A, JMTK100N02A, JMTK085P04A

Tranzystory nowe, nogi pełnej długości
Pomiar realny
Zdjęcie realne

Reference K1253/NE(ID348927534)

EAN 5905427019749

Manufacturer (Private Label) (EU) 2023/988 (GPSR)
Name:	Superelektronika sp. z o.o.
Address:	ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Poland
E-mail:	sklep@superelektronika.pl
Responsible Person (EU) 2023/988 (GPSR)
Full Name:	Radosław Jaromin
Address:	Arynów 46A 05-300 Mińsk Mazowiecki, Poland
E-mail:	radoslaw.jaromin@gmail.com