NCE82H140 82H140 TO220 tranzystor MOSFET 140A 82V

Name: NCE82H140 82H140 TO220 tranzystor MOSFET 140A 82V
Brand: SUPERELEKTRONIKA sp. z o. o.
SKU: K1253/NE(ID348927534)
Price: 11.14 PLN
Availability: InStock

zł11.14

VAT included delivery in Poland 1-2 dni InPost

Volume discounts

Quantity	Unit price	You Save
20	zł11.03	zł2.23
40	zł10.92	zł8.91
60	zł10.81	zł20.05
100	zł10.58	zł55.70

Quantity

Available in Polish warehouse

Place an order within 08h 09m 41s And we will send your order today

Ask about product

Tranzystor NCE82H140

Symbol: NCE82H140
Typ: N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Obudowa: TO220
Technologia: Trench MOSFET
Waga 2.1g

BVDSS (napięcie dren-źródło): 80 V
ID (ciągły prąd drenu): 80 A (TC = 25 °C, VGS = 10 V)
ID,pulse (impulsowy prąd drenu): 320 A
VGS (dopuszczalne napięcie bramka-źródło): ±20 V
PTOT (moc strat): 300 W (TC = 25 °C)
Zakres temperatur pracy: -55 do +150 °C

Maksymalne wartości graniczne (TC = 25°C)

VDS (napięcie dren-źródło): 82 V
VGS (napięcie bramka-źródło): ±20 V
ID (ciągły prąd drenu): 140 A
ID (100°C): 99 A
IDM (prąd impulsowy): 480 A
PD (moc strat): 220 W
EAS (energia lawinowa): 1200 mJ
Zakres temperatury pracy i magazynowania: -55 °C do 175 °C

Charakterystyka elektryczna (TC = 25°C)

BVDSS (napięcie przebicia): 82 V (przy ID = 250 µA)
IDSS (prąd upływu): ≤ 1 µA przy VDS = 82 V
IGSS (prąd upływu bramki): ≤ ±100 nA przy VGS = ±20 V
VGS(th) (napięcie progowe bramki): 2–4 V
RDS(on): typ. 4.3 mΩ, max 6 mΩ przy VGS = 10 V i ID = 20 A
gFS (transkonduktancja): 65 S

Parametry dynamiczne

Pojemność wejściowa (Ciss): 7900 pF
Pojemność wyjściowa (Coss): 445 pF
Pojemność sprzężenia zwrotnego (Crss): 384 pF
Ładunek bramki Qg: 158 nC
Qgs: 32 nC, Qgd: 51 nC

Czasy przełączania (VDD=30 V, RL=1 Ω, VGS=10 V, Rg=2.5 Ω)

td(on): 23 ns
tr: 42 ns
td(off): 75 ns
tf: 26 ns

Dioda zwrotna

VSD: 1.2 V przy IS = 140 A
trr (czas odzysku): 50 ns
Qrr: 110 nC

Parametry termiczne

RθJC (opór termiczny złącze–obudowa): 0.68 °C/W
Współczynnik deratingu: 1.47 W/°C

Zamienniki: AUIRFB4110, AUIRLB4030, BLP028N10‑P, BLP03N08‑P, BLP03N10‑P, BLP05N15‑P, CSD19535KCS, CSD19536KCS, CSP10N4P2, DHS025N88, DHS030N88, DHS035N10, DHS044N12, DSG045N14N, DSG052N14N, CFDP045N10AF102, HGP020N10SGP020N10S, HGP027N10AGP027N10A, HGP039N12SGP039N12S, HGP042N10AGP042N10A, HGP042N10ALGP042N10AL, HGP043N15SGP043N15S, HGP047N12SGP047N12S, HGP050N14SGP050N14S, HY029N10P, HYG035N10NS2P, IRFB4110IRF4110, IRFB4110G, IRFB4110Q, IRLB4030, IRLB4030PBF, IXTP200N085T, JMSH1002ACSH1002A, JMSH1002BCSH1002B, JMSH1002NCSH1002N, JMSH1002YCSH1002Y, JMSH1003NCSH1003N, JMSH1003TCSH1003T, JMSH1004ACSH1004A, JMSH1103TCSH1103T, JMSH1504NCSH1504N, MC10N005, MC11N005, MPGP10R033, NCE82H140, NCE85H21C, NCEP028N85, NCEP031N85M, NCEP033N10, NCEP033N10M, NCEP033N85, NCEP033N85M, NCEP035N10M, NCEP040N12, NCEP12T15, PDP0980, RU1H150R, RUH1H150R‑A, RUH1H220R, RUH85150R, RUH85210R, SE100180GA, SFG150N10PFSFG150N10P, SFG170N10PFSFG170N10P, SFP030N100C3030N100C3, SFP035N95C3, SFP043N100C3043N100C3, SFP045N100C3045N100C3, SFP046N150C3, SM1A50NHF, SWP036R10E8SSW036R10E8S, VBZM80N03, WMK028N10HG2, WMK028N10HGS, WMK036N12HGS, JMTK440P04A, JMTK4006A, JMTK4005A, JMTK4004A, JMTK340P03A, JMTK330N06A, JMTK320N10A, JMTK3006E, JMTK3006D, JMTK3006C, JMTK3006B, JMTK10N10A, JMTK100P03A, JMTK100N03A, JMTK100N02A, JMTK085P04A

Tranzystory nowe, nogi pełnej długości
Pomiar realny
Zdjęcie realne

Reference K1253/NE(ID348927534)

In stock 31 Items

EAN 5905427019749

Manufacturer (Private Label) (EU) 2023/988 (GPSR)
Name:	Superelektronika sp. z o.o.
Address:	ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Poland
E-mail:	sklep@superelektronika.pl
Responsible Person (EU) 2023/988 (GPSR)
Full Name:	Radosław Jaromin
Address:	Arynów 46A 05-300 Mińsk Mazowiecki, Poland
E-mail:	radoslaw.jaromin@gmail.com