NCE82H140 82H140 TO220 tranzystor MOSFET 140A 82V

Name: NCE82H140 82H140 TO220 tranzystor MOSFET 140A 82V
Brand: SUPERELEKTRONIKA sp. z o. o.
SKU: K1253/NE(ID348927534)
Price: 10.69 PLN
Availability: OutOfStock

10,69 zł

Brutto

Rabaty ilościowe

Ilość	Cena jednostkowa	Oszczędzasz
20	10,58 zł	2,14 zł
40	10,48 zł	8,55 zł
60	10,37 zł	19,24 zł
100	10,16 zł	53,45 zł

Ilość

Obecnie brak na stanie

Zapytaj o produkt

Akceptuję ogólne warunki użytkowania i politykę prywatności RODO. Zobacz regulamin

Tranzystor NCE82H140

Symbol: NCE82H140
Typ: N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Obudowa: TO220
Technologia: Trench MOSFET
Waga 2.1g

BVDSS (napięcie dren-źródło): 80 V
ID (ciągły prąd drenu): 80 A (TC = 25 °C, VGS = 10 V)
ID,pulse (impulsowy prąd drenu): 320 A
VGS (dopuszczalne napięcie bramka-źródło): ±20 V
PTOT (moc strat): 300 W (TC = 25 °C)
Zakres temperatur pracy: -55 do +150 °C

Maksymalne wartości graniczne (TC = 25°C)

VDS (napięcie dren-źródło): 82 V
VGS (napięcie bramka-źródło): ±20 V
ID (ciągły prąd drenu): 140 A
ID (100°C): 99 A
IDM (prąd impulsowy): 480 A
PD (moc strat): 220 W
EAS (energia lawinowa): 1200 mJ
Zakres temperatury pracy i magazynowania: -55 °C do 175 °C

Charakterystyka elektryczna (TC = 25°C)

BVDSS (napięcie przebicia): 82 V (przy ID = 250 µA)
IDSS (prąd upływu): ≤ 1 µA przy VDS = 82 V
IGSS (prąd upływu bramki): ≤ ±100 nA przy VGS = ±20 V
VGS(th) (napięcie progowe bramki): 2–4 V
RDS(on): typ. 4.3 mΩ, max 6 mΩ przy VGS = 10 V i ID = 20 A
gFS (transkonduktancja): 65 S

Parametry dynamiczne

Pojemność wejściowa (Ciss): 7900 pF
Pojemność wyjściowa (Coss): 445 pF
Pojemność sprzężenia zwrotnego (Crss): 384 pF
Ładunek bramki Qg: 158 nC
Qgs: 32 nC, Qgd: 51 nC

Czasy przełączania (VDD=30 V, RL=1 Ω, VGS=10 V, Rg=2.5 Ω)

td(on): 23 ns
tr: 42 ns
td(off): 75 ns
tf: 26 ns

Dioda zwrotna

VSD: 1.2 V przy IS = 140 A
trr (czas odzysku): 50 ns
Qrr: 110 nC

Parametry termiczne

RθJC (opór termiczny złącze–obudowa): 0.68 °C/W
Współczynnik deratingu: 1.47 W/°C

Zamienniki: AUIRFB4110, AUIRLB4030, BLP028N10‑P, BLP03N08‑P, BLP03N10‑P, BLP05N15‑P, CSD19535KCS, CSD19536KCS, CSP10N4P2, DHS025N88, DHS030N88, DHS035N10, DHS044N12, DSG045N14N, DSG052N14N, CFDP045N10AF102, HGP020N10SGP020N10S, HGP027N10AGP027N10A, HGP039N12SGP039N12S, HGP042N10AGP042N10A, HGP042N10ALGP042N10AL, HGP043N15SGP043N15S, HGP047N12SGP047N12S, HGP050N14SGP050N14S, HY029N10P, HYG035N10NS2P, IRFB4110IRF4110, IRFB4110G, IRFB4110Q, IRLB4030, IRLB4030PBF, IXTP200N085T, JMSH1002ACSH1002A, JMSH1002BCSH1002B, JMSH1002NCSH1002N, JMSH1002YCSH1002Y, JMSH1003NCSH1003N, JMSH1003TCSH1003T, JMSH1004ACSH1004A, JMSH1103TCSH1103T, JMSH1504NCSH1504N, MC10N005, MC11N005, MPGP10R033, NCE82H140, NCE85H21C, NCEP028N85, NCEP031N85M, NCEP033N10, NCEP033N10M, NCEP033N85, NCEP033N85M, NCEP035N10M, NCEP040N12, NCEP12T15, PDP0980, RU1H150R, RUH1H150R‑A, RUH1H220R, RUH85150R, RUH85210R, SE100180GA, SFG150N10PFSFG150N10P, SFG170N10PFSFG170N10P, SFP030N100C3030N100C3, SFP035N95C3, SFP043N100C3043N100C3, SFP045N100C3045N100C3, SFP046N150C3, SM1A50NHF, SWP036R10E8SSW036R10E8S, VBZM80N03, WMK028N10HG2, WMK028N10HGS, WMK036N12HGS, JMTK440P04A, JMTK4006A, JMTK4005A, JMTK4004A, JMTK340P03A, JMTK330N06A, JMTK320N10A, JMTK3006E, JMTK3006D, JMTK3006C, JMTK3006B, JMTK10N10A, JMTK100P03A, JMTK100N03A, JMTK100N02A, JMTK085P04A

Tranzystory nowe, nogi pełnej długości
Pomiar realny
Zdjęcie realne

Indeks K1253/NE(ID348927534)

EAN 5905427019749

Producent (Private Label) (UE) 2023/988 (GPSR)
Nazwa:	Superelektronika sp. z o.o.
Adres:	ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska
E-mail:	sklep@superelektronika.pl
Osoba odpowiedzialna (UE) 2023/988 (GPSR)
Imię i nazwisko:	Radosław Jaromin
Adres:	Arynów 46A 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska
E-mail:	radoslaw.jaromin@gmail.com