CS8N65F 8N65 tranzystor N-Channel MOSFET 650V 7.5A TO-220FP

Tranzystor N-Channel MOSFET CS8N65F 8N65

Parametry graniczne (Absolute Maximum Ratings) przy Ta = 25°C :

• Napięcie dren-źródło (VDSS): 650 V
• Prąd drenu przy TC = 25°C (ID): 7.5 A
• Prąd drenu przy TC = 100°C (ID): 4.6 A
• Impulsowy prąd drenu (IDM): 30 A
• Napięcie bramki względem źródła (VGSS): ±30 V
• Energia złącza lawinowego (jednopulsowa) (EAS): 230 mJ
• Energia złącza lawinowego (powtarzalna) (EAR): 10 mJ
• Powtarzalny impuls lawinowy (IAR): 7.5 A
• Moc strat przy TC = 25°C (PD): 48 W
• Zakres temperatur pracy i przechowywania (TJ, TSTG): –55°C do +150°C

Parametry elektryczne (Electrical Characteristics) przy Ta = 25°C :

• Napięcie przebicia (BVDSS) przy VGS=0V, ID=250μA: 650 V

• Prąd upływu (IDSS):

– przy VDS=650V, VGS=0V: maks. 1.0 μA
– przy VDS=480V, TC=125°C: maks. 10 μA

• Prąd upływu bramki (IGSS) przy VGS=±30V, VDS=0V: ±0.1 μA
• Napięcie progowe bramki (VGS(th)) przy VDS=VGS, ID=250μA: 2.0 – 4.0 V
• Rezystancja w stanie przewodzenia (RDS(on)) przy VGS=10V, ID=3.75A: typ. 1.0 Ω, maks. 1.4 Ω
• Transkonduktancja (gFS) przy VDS=40V, ID=3.75A: typ. 8.7 S
• Napięcie złącza źródło-dioda (VSD) przy VGS=0V, IS=7.5A: maks. 1.4 V

Pojemności (przy VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz)

• Pojemność wejściowa (Ciss): 1255 pF
• Pojemność wyjściowa (Coss): 135 pF
• Pojemność sprzężona (Crss): 16 pF

Czasy przełączania (przy VDD=300V, ID=7.5A, RG=25Ω)

• Czas włączenia (td(on)): 16.5 – 45 ns
• Czas narastania (tr): 60.5 – 130 ns
• Czas wyłączenia (td(off)): 81 – 170 ns
• Czas opadania (tf): 64.5 – 140 ns