2N7000 tranzystor N-MOSFET 60V 200mA TO92 THT

2N7000 tranzystor MOSFET N-kanałowy

• Model: 2N7000
• Oznaczenie na obudowie: 2N 7000
• Typ: MOSFET N-kanałowy z kanałem wzbogacanym
• Obudowa: TO-92
• Montaż: przewlekany THT
• Wbudowana dioda między źródłem a drenem
• Ilość: 1 sztuka

Parametry referencyjne 2N7000:

• Maksymalne napięcie dren–źródło VDS: 60 V
• Ciągły prąd drenu ID: do 200 mA, zależnie od warunków termicznych
• Moc strat: do 400 mW przy temperaturze otoczenia 25°C, w warunkach katalogowych
• Napięcie progowe bramki VGS(th): 0,8–3 V przy ID = 1 mA oraz VDS = VGS
• Rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on): maks. 5 Ω przy VGS = 10 V oraz ID = 500 mA, pomiar impulsowy
• Temperatura złącza i przechowywania: od −55°C do +150°C

Parametry szczegółowe mogą różnić się między wykonaniami 2N7000. Napięcie progowe bramki oznacza początek przewodzenia, a nie pełne otwarcie tranzystora. Nie należy zakładać pełnego przewodzenia przy sterowaniu napięciem 3,3 V.

Wyprowadzenia:

Standardowy układ wyprowadzeń 2N7000 w obudowie TO-92, patrząc na płaską stronę z napisem, z nóżkami skierowanymi w dół, od lewej:

• 1 — S: źródło
• 2 — G: bramka
• 3 — D: dren

Przed montażem należy potwierdzić układ wyprowadzeń dla posiadanego egzemplarza.

Zastosowania:

• Przełączanie niewielkich obciążeń prądu stałego
• Sterowanie diodami LED z ograniczeniem prądu
• Układy przełączające i interfejsy sygnałowe
• Projekty z mikrokontrolerami
• Naprawa urządzeń elektronicznych

Możliwe zamienniki:

• BS170 — możliwy zamiennik w wielu układach przełączających. Standardowo ma kolejność wyprowadzeń D–G–S, czyli zamienione miejscami dren i źródło względem 2N7000. Wymaga sprawdzenia parametrów i odpowiedniego podłączenia.

W ofercie posiadamy również tranzystory o innych parametrach.

Zdjęcie przedstawia oferowany produkt. Czytelność zdjęcia została zwiększona za pomocą algorytmów AI.

Pomiar realny.