- Nowy
2N7000 tranzystor N-MOSFET 60V 200mA TO92 THT
2,28 zł
Brutto
Dostawa 1-2 dni z InPost
Tranzystor 2N7000
2N7000 tranzystor MOSFET N-kanałowy. Niewielki tranzystor z kanałem wzbogacanym, przeznaczony do układów przełączających, sterowania małymi obciążeniami oraz zastosowań sygnałowych.
Parametry techniczne
| Model | 2N7000 |
| Oznaczenie na obudowie | 2N 7000 |
| Typ | MOSFET N-kanałowy z kanałem wzbogacanym |
| Obudowa | TO-92 |
| Montaż | Przewlekany THT |
| Dioda wewnętrzna | Wbudowana dioda między źródłem a drenem |
| Ilość | 1 sztuka |
Parametry referencyjne 2N7000
| Maksymalne napięcie dren–źródło VDS | 60 V |
| Ciągły prąd drenu ID | Do 200 mA, zależnie od warunków termicznych |
| Moc strat | Do 400 mW przy temperaturze otoczenia 25°C, w warunkach katalogowych |
| Napięcie progowe bramki VGS(th) | 0,8–3 V przy ID = 1 mA oraz VDS = VGS |
| Rezystancja RDS(on) | Maks. 5 Ω przy VGS = 10 V oraz ID = 500 mA, pomiar impulsowy |
| Temperatura złącza i przechowywania | Od −55°C do +150°C |
Parametry szczegółowe mogą różnić się między wykonaniami 2N7000. Napięcie progowe bramki oznacza początek przewodzenia, a nie pełne otwarcie tranzystora. Nie należy zakładać pełnego przewodzenia przy sterowaniu napięciem 3,3 V.
Wyprowadzenia
Standardowy układ wyprowadzeń 2N7000 w obudowie TO-92, patrząc na płaską stronę z napisem, z nóżkami skierowanymi w dół:
| Pin 1 | S – źródło |
| Pin 2 | G – bramka |
| Pin 3 | D – dren |
Przed montażem należy potwierdzić układ wyprowadzeń dla posiadanego egzemplarza.
Zastosowania
- Przełączanie niewielkich obciążeń prądu stałego
- Sterowanie diodami LED z ograniczeniem prądu
- Układy przełączające i interfejsy sygnałowe
- Projekty z mikrokontrolerami
- Naprawa urządzeń elektronicznych
Możliwy zamiennik
BS170 może być zamiennikiem w wielu układach przełączających, jednak wymaga porównania parametrów i układu wyprowadzeń. Standardowo ma kolejność wyprowadzeń D–G–S, czyli dren i źródło są zamienione miejscami względem 2N7000.
W ofercie posiadamy również tranzystory o innych parametrach.
Zdjęcie przedstawia oferowany produkt. Czytelność zdjęcia została zwiększona za pomocą algorytmów AI.
Pomiar realny.
K1558/T7(ID412675945)
500 Przedmioty
5905042153477
Informacje dotyczące bezpieczeństwa – GPSR
| Produkt | Tranzystor MOSFET N-kanałowy |
| Model | 2N7000 |
| VDS maks. | 60 V |
| ID ciągły | Do 200 mA, zależnie od warunków termicznych |
| Moc strat | Do 400 mW przy 25°C, w warunkach katalogowych |
| Obudowa | TO-92, THT |
⚠ UWAGA
2N7000 jest tranzystorem MOSFET przeznaczonym do integracji z odpowiednio zaprojektowanym układem elektronicznym. Przekroczenie dopuszczalnego napięcia, prądu lub mocy strat, błędny pinout albo nieprawidłowe sterowanie bramką może spowodować uszkodzenie elementu.
2N7000 jest tranzystorem MOSFET przeznaczonym do integracji z odpowiednio zaprojektowanym układem elektronicznym. Przekroczenie dopuszczalnego napięcia, prądu lub mocy strat, błędny pinout albo nieprawidłowe sterowanie bramką może spowodować uszkodzenie elementu.
Zasady bezpiecznego użytkowania
| ✓ | Montaż, demontaż i zmianę połączeń wykonywać przy odłączonym zasilaniu. |
| ✓ | Przed montażem potwierdzić kolejność wyprowadzeń S, G i D dla konkretnego egzemplarza. |
| ✓ | Nie przekraczać maksymalnego napięcia dren–źródło 60 V. |
| ✓ | Uwzględnić zależność dopuszczalnego prądu i mocy strat od temperatury oraz warunków chłodzenia. |
| ✓ | Po montażu sprawdzić brak zwarć i mostków lutowniczych. |
Napięcie progowe bramki
⚠ VGS(th) NIE OZNACZA PEŁNEGO OTWARCIA MOSFET-u
Zakres napięcia progowego 0,8–3 V określa warunki początku przewodzenia przy małym prądzie testowym. Nie należy na tej podstawie zakładać niskiej rezystancji RDS(on) ani pełnego otwarcia tranzystora przy sterowaniu 3,3 V.
Zakres napięcia progowego 0,8–3 V określa warunki początku przewodzenia przy małym prądzie testowym. Nie należy na tej podstawie zakładać niskiej rezystancji RDS(on) ani pełnego otwarcia tranzystora przy sterowaniu 3,3 V.
Prąd i moc strat
Prąd drenu do 200 mA i moc strat do 400 mW są wartościami zależnymi od warunków termicznych.
Nie należy traktować ich jako parametrów gwarantowanych w każdych warunkach montażu i temperatury.
Nie należy traktować ich jako parametrów gwarantowanych w każdych warunkach montażu i temperatury.
Maksymalne wartości napięcia, prądu i mocy są wartościami granicznymi. Nie oznaczają możliwości jednoczesnej pracy przy wszystkich parametrach maksymalnych.
Bramka MOSFET
Bramka MOSFET-u jest wejściem o bardzo dużej impedancji i może być wrażliwa na ładunki elektrostatyczne. Nie należy pozostawiać bramki w stanie nieustalonym w gotowym układzie. W razie potrzeby należy zapewnić odpowiedni rezystor ustalający jej stan.
Ochrona przed ESD
Tranzystor MOSFET może być wrażliwy na wyładowania elektrostatyczne. Podczas przechowywania, transportu i montażu należy stosować standardowe środki ochrony ESD oraz ograniczyć bezpośrednie dotykanie wyprowadzeń.
Dioda wewnętrzna
Tranzystor posiada wbudowaną diodę między źródłem a drenem. Jej obecność należy uwzględnić przy projektowaniu obwodów, szczególnie w przypadku zmiany polaryzacji napięcia lub obciążeń indukcyjnych.
Wyprowadzenia
| 1 | S – źródło |
| 2 | G – bramka |
| 3 | D – dren |
Przed montażem należy potwierdzić pinout konkretnego egzemplarza. Błędne podłączenie źródła i drenu może powodować nieprawidłowe działanie obwodu, m.in. z powodu obecności wewnętrznej diody.
Możliwy zamiennik – BS170
BS170 może być zastosowany jako możliwy zamiennik tylko po porównaniu parametrów.
Należy sprawdzić napięcie, prąd, RDS(on), wymagane napięcie sterowania bramki, moc strat, obudowę oraz kolejność wyprowadzeń. Według podanych danych standardowy BS170 ma układ D–G–S, inny niż S–G–D dla 2N7000.
Należy sprawdzić napięcie, prąd, RDS(on), wymagane napięcie sterowania bramki, moc strat, obudowę oraz kolejność wyprowadzeń. Według podanych danych standardowy BS170 ma układ D–G–S, inny niż S–G–D dla 2N7000.
Montaż i lutowanie
| Obudowa | TO-92 |
| Montaż | Przewlekany THT |
| Lutowanie | Unikać nadmiernego i długotrwałego nagrzewania wyprowadzeń oraz obudowy |
| Wyprowadzenia | Nie wyginać bezpośrednio przy obudowie i nie powodować nadmiernych naprężeń mechanicznych |
Kontrola przed uruchomieniem
| ✓ | Sprawdzić poprawność wyprowadzeń S, G i D. |
| ✓ | Sprawdzić poziom napięcia sterującego bramką. |
| ✓ | Sprawdzić przewidywany prąd obciążenia i moc strat. |
| ✓ | Sprawdzić, czy bramka ma określony stan logiczny i nie pozostaje niepodłączona. |
| ✓ | Sprawdzić brak zwarć i mostków lutowniczych. |
Przechowywanie
Przechowywać w suchym i czystym miejscu. Chronić przed wilgocią, zabrudzeniem, wyładowaniami elektrostatycznymi, uszkodzeniem mechanicznym obudowy oraz deformacją wyprowadzeń.
Ważne informacje
2N7000 jest niewielkim tranzystorem MOSFET N-kanałowym przeznaczonym do zastosowań przełączających i sygnałowych.
Napięcie progowe bramki VGS(th) oznacza początek przewodzenia i nie określa napięcia potrzebnego do uzyskania pełnego otwarcia tranzystora.
Dopuszczalny prąd i moc strat zależą od warunków termicznych, temperatury otoczenia i sposobu montażu.
Przed pierwszym uruchomieniem należy sprawdzić pinout, sposób sterowania bramką, parametry obciążenia oraz brak zwarć w układzie.
| Producent (Private Label) (UE) 2023/988 (GPSR) | |
|---|---|
| Nazwa: | Superelektronika sp. z o.o. |
| Adres: | ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska |
| E-mail: | sklep@superelektronika.pl |
| Osoba odpowiedzialna (UE) 2023/988 (GPSR) | |
| Imię i nazwisko: | Superelektronika sp. z o.o. |
| Adres: | ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska |
| E-mail: | sklep@superelektronika.pl |
Zobacz także
Komentarze (0)
Na razie nie dodano żadnej recenzji.
Tranzystor 2N7000