- Nové
30N60FA9 30N60 tranzystor MOSFET N-Channel 600V 30A TO-220F
27,33 zł
S DPH
Dostawa 1-2 dni z InPost
30N60 FA9 to wysokonapięciowy tranzystor mocy MOSFET typu N (N-Channel Enhancement MOSFET), przeznaczony do pracy w zasilaczach impulsowych, przetwornicach, falownikach oraz innych układach energoelektronicznych. Element wykonano w izolowanej obudowie TO-220F (Fullpack), umożliwiającej bezpośredni montaż do radiatora bez stosowania dodatkowych podkładek izolacyjnych.
- Model: 30N60 FA9
- Oznaczenie: 30N60
- Seria: 30N60
- Typ tranzystora: N-Channel Enhancement MOSFET
- Obudowa: TO-220F (Fullpack, izolowana)
- Maksymalne napięcie dren-źródło (VDSS): 600 V
- Prąd drenu: do 30 A (zależnie od producenta i warunków chłodzenia)
- Przystosowany do szybkiego przełączania
- Niskie straty przełączania
- Izolowana powierzchnia montażowa
- Przeznaczony do montażu na radiatorze
- VDSS: 600 V
- ID: do 30 A
- VGSS: ±30 V
- Temperatura pracy złącza: od -55°C do +150°C
- Obudowa izolowana TO-220F
- Typ elementu: N-E-MOS (N-Channel Enhancement MOSFET)
- Napięcie progowe VGS(th): około 3,6 V
- Rezystancja kanału RDS(on): około 0,5 Ω (pomiar testerem elementów)
- Pojemność bramki (Cg): około 4,31 nF
- zasilacze impulsowe (SMPS),
- przetwornice DC/DC,
- układy PFC,
- falowniki,
- spawarki inwertorowe,
- sterowniki silników,
- UPS,
- przetwornice wysokiego napięcia.
Odpowiedniki: FQPF30N60, FQA30N60, STF30N60M2, STF33N60M2, STF36N60M2, STF24N60M2, TK31A60W, STP30NM60, STW30NK60Z, SPA30N60, 20N60C3, IPA60R190P6
Zdjęcie rzeczywiste, którego czytelność została zwiększona za pomocą algorytmów AI
Pomiar rzeczywisty
K1396/FH(ID401087677)
24 ks
5905042152081
Komentáře (0)
Na tento produkt momentálně není přidána žádná recenze.