Tranzystor BD911 (tranzystor posiada ślady lutowania widoczne na zdjęciu)
- Model BD911
- Oznaczenie BD911
- Produkcja STMicroelectronics
- Obudowa TO220 (montaż przewlekany THT)
- Polaryzacja NPN
- Waga 2.2g
Najlepsza dostępna seria na rynku "MOROCCO" produkcja Maroko - BouskouraHFE sprzedawnej serii jest w granicy 5-352 (temperatura pomiaru ok. 18C).
Parametry techniczne :
- VCBO – napięcie kolektor–baza 100V
- VCEO – napięcie kolektor–emiter 100V
- VEBO – napięcie emiter–baza 5 V
- IC / IE – maks. prąd kolektora 15A
- IB – maks. prąd bazy 5A
- Ptot – maks. moc strat (Tc ≤ 25°C) 90 W
- Tstg – temp. przechowywania –65…150°
- Tj – maks. temperatura złącza 150°C
- IC = 0.5 A, VCE = 4 V → 3 MHz
- Rth(j-c) – opór termiczny złącze–obudowa 1.4°C/W
Para komplementarna PNP dla tego tranzystora to BD912
Zamienniki : 2SD1026, 2SD1027, 2SD1525, 3DD13012A8, 3DD13012_A8, 13009SDL, BD743C, BD743D, BD743E, BD743F, BD911, BDS12, BDS16, BDS17, BDT55, BDT57, BDT63B, BDT63C, BDT85, BDT87, BU931ZTFI, BU941A, BU941T, BU941TT1TL, BU941ZE3, BU941ZLE3, BU941ZT, BUT60, BUT62, ECG331, SM3176, STBD911
!!! TRANZYSTORY POSIADAJĄ ŚLADY LUTOWANIA !!! - nogi pełnej długości
Zdjęcie realne sprzedawanych tranzystorów
W ofercie posiadamy również BD912 oraz pary komplementarne skompletowane po HFE
K1339/BD(ID367748916)
20 ks
5905042150742