Tranzystor BD912 (tranzystor posiada ślady lutowania widoczne na zdjęciu)
- Model BD912
- Oznaczenie BD912
- Produkcja STMicroelectronics
- Obudowa TO220 (montaż przewlekany THT)
- Polaryzacja PNP
- Waga 2.2g
Najlepsza dostępna seria na rynku "MOROCCO" produkcja Maroko - BouskouraHFE sprzedawanej serii jest w granicy 67-237 (temperatura pomiaru ok. 18C).
Parametry techniczne :
- VCBO – napięcie kolektor–baza 100V
- VCEO – napięcie kolektor–emiter 100V
- VEBO – napięcie emiter–baza 5 V
- IC / IE – maks. prąd kolektora 15A
- IB – maks. prąd bazy 5A
- Ptot – maks. moc strat (Tc ≤ 25°C) 90 W
- Tstg – temp. przechowywania –65…150°
- Tj – maks. temperatura złącza 150°C
- IC = 0.5 A, VCE = 4 V → 3 MHz
- Rth(j-c) – opór termiczny złącze–obudowa 1.4°C/W
Para komplementarna NPN dla tego tranzystora to BD911
Zamienniki : BD744C, BD744D, BD744E, BD744F, BDS15, BDS18, BDS19, BDT56, BDT58, BDT62B, BDT62C, BDT86, BDT88, ECG332, STBD912
!!! TRANZYSTORY POSIADAJĄ ŚLADY LUTOWANIA !!! - nogi pełnej długości
Zdjęcie realne sprzedawanych tranzystorów
Pomiar realny
W ofercie posiadamy również BD911 oraz pary komplementarne skompletowane po HFE
K1340/BD(ID367761751)
21 Produse
5905042150759