NCE82H140 82H140 TO220 tranzystor MOSFET 140A 82V

Name: NCE82H140 82H140 TO220 tranzystor MOSFET 140A 82V
Brand: SUPERELEKTRONIKA sp. z o. o.
SKU: K1253/NE(ID348927534)
Price: 11.14 PLN
Availability: InStock

11,14 zł

cu TVA Dostawa 1-2 dni z InPost

Reduceri la volum

Cantitate	Pret unitar	Ai economisit
20	11,03 zł	2,23 zł
40	10,92 zł	8,91 zł
60	10,81 zł	20,05 zł
100	10,58 zł	55,70 zł

Cantitate

Dostępny w magazynie w Mińsku Mazowieckim

Place an order within 06h 14m 23s And we will send your order today

Ask about product

Tranzystor NCE82H140

Symbol: NCE82H140
Typ: N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Obudowa: TO220
Technologia: Trench MOSFET
Waga 2.1g

BVDSS (napięcie dren-źródło): 80 V
ID (ciągły prąd drenu): 80 A (TC = 25 °C, VGS = 10 V)
ID,pulse (impulsowy prąd drenu): 320 A
VGS (dopuszczalne napięcie bramka-źródło): ±20 V
PTOT (moc strat): 300 W (TC = 25 °C)
Zakres temperatur pracy: -55 do +150 °C

Maksymalne wartości graniczne (TC = 25°C)

VDS (napięcie dren-źródło): 82 V
VGS (napięcie bramka-źródło): ±20 V
ID (ciągły prąd drenu): 140 A
ID (100°C): 99 A
IDM (prąd impulsowy): 480 A
PD (moc strat): 220 W
EAS (energia lawinowa): 1200 mJ
Zakres temperatury pracy i magazynowania: -55 °C do 175 °C

Charakterystyka elektryczna (TC = 25°C)

BVDSS (napięcie przebicia): 82 V (przy ID = 250 µA)
IDSS (prąd upływu): ≤ 1 µA przy VDS = 82 V
IGSS (prąd upływu bramki): ≤ ±100 nA przy VGS = ±20 V
VGS(th) (napięcie progowe bramki): 2–4 V
RDS(on): typ. 4.3 mΩ, max 6 mΩ przy VGS = 10 V i ID = 20 A
gFS (transkonduktancja): 65 S

Parametry dynamiczne

Pojemność wejściowa (Ciss): 7900 pF
Pojemność wyjściowa (Coss): 445 pF
Pojemność sprzężenia zwrotnego (Crss): 384 pF
Ładunek bramki Qg: 158 nC
Qgs: 32 nC, Qgd: 51 nC

Czasy przełączania (VDD=30 V, RL=1 Ω, VGS=10 V, Rg=2.5 Ω)

td(on): 23 ns
tr: 42 ns
td(off): 75 ns
tf: 26 ns

Dioda zwrotna

VSD: 1.2 V przy IS = 140 A
trr (czas odzysku): 50 ns
Qrr: 110 nC

Parametry termiczne

RθJC (opór termiczny złącze–obudowa): 0.68 °C/W
Współczynnik deratingu: 1.47 W/°C

Zamienniki: AUIRFB4110, AUIRLB4030, BLP028N10‑P, BLP03N08‑P, BLP03N10‑P, BLP05N15‑P, CSD19535KCS, CSD19536KCS, CSP10N4P2, DHS025N88, DHS030N88, DHS035N10, DHS044N12, DSG045N14N, DSG052N14N, CFDP045N10AF102, HGP020N10SGP020N10S, HGP027N10AGP027N10A, HGP039N12SGP039N12S, HGP042N10AGP042N10A, HGP042N10ALGP042N10AL, HGP043N15SGP043N15S, HGP047N12SGP047N12S, HGP050N14SGP050N14S, HY029N10P, HYG035N10NS2P, IRFB4110IRF4110, IRFB4110G, IRFB4110Q, IRLB4030, IRLB4030PBF, IXTP200N085T, JMSH1002ACSH1002A, JMSH1002BCSH1002B, JMSH1002NCSH1002N, JMSH1002YCSH1002Y, JMSH1003NCSH1003N, JMSH1003TCSH1003T, JMSH1004ACSH1004A, JMSH1103TCSH1103T, JMSH1504NCSH1504N, MC10N005, MC11N005, MPGP10R033, NCE82H140, NCE85H21C, NCEP028N85, NCEP031N85M, NCEP033N10, NCEP033N10M, NCEP033N85, NCEP033N85M, NCEP035N10M, NCEP040N12, NCEP12T15, PDP0980, RU1H150R, RUH1H150R‑A, RUH1H220R, RUH85150R, RUH85210R, SE100180GA, SFG150N10PFSFG150N10P, SFG170N10PFSFG170N10P, SFP030N100C3030N100C3, SFP035N95C3, SFP043N100C3043N100C3, SFP045N100C3045N100C3, SFP046N150C3, SM1A50NHF, SWP036R10E8SSW036R10E8S, VBZM80N03, WMK028N10HG2, WMK028N10HGS, WMK036N12HGS, JMTK440P04A, JMTK4006A, JMTK4005A, JMTK4004A, JMTK340P03A, JMTK330N06A, JMTK320N10A, JMTK3006E, JMTK3006D, JMTK3006C, JMTK3006B, JMTK10N10A, JMTK100P03A, JMTK100N03A, JMTK100N02A, JMTK085P04A

Tranzystory nowe, nogi pełnej długości
Pomiar realny
Zdjęcie realne

Referinta K1253/NE(ID348927534)

In stoc 31 Produse

EAN 5905427019749

Producător (Private Label) (UE) 2023/988 (GPSR)
Nume:	Superelektronika sp. z o.o.
Adresă:	ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polonia
E-mail:	sklep@superelektronika.pl
Persoană responsabilă (UE) 2023/988 (GPSR)
Nume și prenume:	Radosław Jaromin
Adresă:	Arynów 46A 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polonia
E-mail:	radoslaw.jaromin@gmail.com

Comentarii (0)

Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.