PMV31XN WM4 M4 tranzystor N-MOSFET 20V 5.9A 2W SOT23 SMD

PMV31XN tranzystor MOSFET N-kanałowy

• Model PMV31XN
• Oznaczenie %M4 - gdzie „%” oznacza kod miejsca produkcji
• Typ MOSFET N-kanałowy TrenchMOS
• Maksymalne napięcie dren–źródło VDS = 20 V
• Ciągły prąd drenu ID = 5,9 A (Tsp = 25 °C, VGS = 4,5 V)
• Ciągły prąd drenu ID = 3,75 A (Tsp = 100 °C, VGS = 4,5 V)
• Niska rezystancja w stanie przewodzenia
• RDS(on) typ. 31 mΩ, maks. 37 mΩ @ VGS = 4,5 V, ID = 1,5 A
• RDS(on) typ. 44 mΩ, maks. 53 mΩ @ VGS = 2,5 V, ID = 1 A
• Bardzo szybkie przełączanie
• Niskie napięcie progowe bramki

Parametry elektryczne:

• Napięcie przebicia dren–źródło V(BR)DSS: min. 20 V @ ID = 250 µA, VGS = 0 V, Tj = 25 °C
• Napięcie progowe bramki VGS(th): 0,5 do 1,5 V @ ID = 1 mA, VDS = VGS, Tj = 25 °C
• Maksymalne napięcie bramka–źródło VGS = ±12 V
• Prąd upływu drenu IDSS: maks. 1 µA @ VDS = 20 V, VGS = 0 V, Tj = 25 °C
• Prąd upływu bramki IGSS: typ. 10 nA, maks. 100 nA @ VGS = ±12 V
• Całkowity ładunek bramki Qg: typ. 5,8 nC
• Ładunek bramka–źródło Qgs: typ. 1,4 nC
• Ładunek bramka–dren Qgd: typ. 1,7 nC
• Maksymalna moc strat Ptot = 2 W (Tsp = 25 °C)
• Impulsowy prąd drenu IDM = 23,7 A (tp ≤ 10 µs)
• Temperatura złącza: -55 °C do +150 °C
• Temperatura przechowywania: -55 °C do +150 °C

Parametry dynamiczne:

• Pojemność wejściowa Ciss: typ. 410 pF
• Pojemność wyjściowa Coss: typ. 115 pF
• Pojemność zwrotna Crss: typ. 80 pF
• Czas opóźnienia załączenia td(on): typ. 10 ns
• Czas narastania tr: typ. 15 ns
• Czas opóźnienia wyłączenia td(off): typ. 25 ns
• Czas opadania tf: typ. 12 ns

Wbudowana dioda:

• Maksymalny ciągły prąd diody IS = 1,7 A (Tsp = 25 °C)
• Napięcie przewodzenia diody VSD: typ. 0,75 V, maks. 1,2 V @ IS = 1,5 A, VGS = 0 V, Tj = 25 °C

Obudowa i montaż:

• Obudowa SOT23 / TO-236AB
• Przeznaczony do montażu powierzchniowego SMD
• Maksymalna rezystancja termiczna złącze–punkt lutowniczy Rth(j-sp) = 60 K/W

Zastosowania:

• Sterowanie silnikami zasilanymi bateryjnie
• Szybkie układy przełączające
• Zasilacze urządzeń typu set-top box
• Przetwornice i układy zasilania niskonapięciowego
• Aplikacje wymagające niskiej rezystancji RDS(on)

Odpowiedniki: CR3416, WM02N75M2, MTB030N04N3, KI010NDS, VB1240X, VB1218X, SQ2310ES

Zdjęcie przedstawia oferowany produkt. Czytelność zdjęcia została zwiększona za pomocą algorytmów AI.
Pomiar realny