40N60FD2 SGT40N60FD2PN tranzystor IGBT 600V 40A TO3P

Tranzystor mocy SGT40N60FD2PN, oznaczony na obudowie 40N60FD2. Wykonany w technologii Field Stop III IGBT, z wbudowaną szybką diodą

• Model SGT40N60FD2PN
• Oznaczenie 40N60FD2
• Parametry techniczne:
• Napięcie kolektor–emiter: 600 V
• Prąd kolektora: 40 A przy temperaturze obudowy 100°C, 80 A przy 25°C
• Impulsowy prąd kolektora: 120 A
• Napięcie bramka–emiter: ±20 V
• Typowe napięcie nasycenia: 1,8 V przy IC = 40 A, VGE = 15 V i temperaturze 25°C
• Maksymalna moc strat: 380 W przy temperaturze obudowy 25°C
• Temperatura pracy złącza: od −55°C do +150°C
• Obudowa: TO-3P
• Waga 5.2g

Przeznaczony do układów grzania indukcyjnego, zasilaczy awaryjnych UPS, zasilaczy impulsowych oraz układów korekcji współczynnika mocy PFC.

Zdjęcie rzeczywiste, którego czytelność została zwiększona za pomocą algorytmów AI