MMBT3904 MMBT3904WT1 3904 1AM Tranzistor NPN 40V 0.2A SOT23 SMD

Tranzistor MMBT3904WT1

• Model: MMBT3904WT1
• Desemnare pe carcasă: 1AM
• Tip: Tranzistor bipolar NPN de mică putere
• Carcasă: SOT-23
• Cantitate 1 bucată

Parametrii maximi:

• Tensiunea colector-emitor (VCE): 40 V
• Tensiunea colector-bază (VCB): 60 V
• Tensiunea emițător-bază (VEB): 6,0 V
• Curent continuu al colectorului (IC): 200 mA
• Putere de pierdere la TA = 25 °C (PD): 150 mW
• Rezistența termică joncțiune-surround (RθJA): 833 °C/W
• Intervalul de temperatură de funcționare și depozitare (TJ, Tstg): -55 °C ÷ +150 °C

Caracteristici termice:

• Rezistența termică joncțiune-surround (RθJA): 833 °C/W
• Temperatura maximă a îmbinării (TJ): 150 °C
• Caracteristici electrice (TA = 25 °C):
• Tensiunea de cedare colector-emitor V(BR)CEO: ≥ 40 V (IC = 1 mA, IB = 0)
• Tensiunea de străpungere colector-bază V(BR)CBO: ≥ 60 V (IC = 10 µA, IE = 0)
• Tensiunea de străpungere emitor-bază V(BR)EBO: ≥ 6,0 V (IE = 10 µA, IC = 0)
• Curent de scurgere bază-emitor (IBL): ≤ 50 nA (VCE = 30 V, VEB = 3 V)
• Curent de scurgere în colector (ICEX): ≤ 50 nA (VCE = 30 V, VEB = 3 V)

Tensiunea de saturație colector-emitor VCE(sat):

• ≤ 0,2 V (IC = 10 mA, IB = 1 mA)
• ≤ 0,3 V (IC = 50 mA, IB = 5 mA)

Tensiunea de saturație bază-emitor VBE(sat):

• 0,65 ÷ 0,85 V (IC = 10 mA)
• 0,95 V (IC = 50 mA)

Parametrii dinamici:

• Frecvența limită (fT): 300 MHz (IC = 10 mA, VCE = 20 V)
• Capacitate de intrare (Cibo): 8 pF
• Capacitate de ieșire (Cobo): 4 pF
• Factor de zgomot (NF): ≤ 5 dB

Parametrii de comutare:

• Timp de întârziere (td): 35 ns
• Timp de creștere (tr): 35 ns
• Timp de stocare (ts): 200 ns
• Timp de coborâre (tf): 50 ns
• Pereche complementară

Perechea complementară pentru tranzistorul MMBT3904WT1 este MMBT3906WT1 - un tranzistor PNP.

Înlocuitori: BPMBT3904, BC847, MMBT2222A, MMST2222A, KTN2222AU

Imagine realistă