2N3055 tranzystor mocy bipolarny NPN 15A 60V TO-3

Name: 2N3055 tranzystor mocy bipolarny NPN 15A 60V TO-3
Brand: SUPERELEKTRONIKA sp. z o. o.
SKU: K1220/2N3055(ID337771462)
Price: 9.59 PLN
Availability: InStock

9,59 zł

Brutto Dostawa 1-2 dni z InPost

Tranzystor 2N3055

Rabaty ilościowe

Ilość	Cena jednostkowa	Oszczędzasz
20	9,49 zł	1,92 zł
40	9,40 zł	7,67 zł
60	9,30 zł	17,26 zł
100	9,11 zł	47,95 zł

Ilość

Dostępny w magazynie w Mińsku Mazowieckim

Złóż zamówienie w ciągu 21h 17m 36s A Twoją przesyłkę nadamy w dniu dzisiejszym

Zapytaj o produkt

Bipolarny tranzystor mocy 2N3055

Parametry techniczne

Oznaczenie	2N3055
Obudowa	TO-3
Typ	Bipolarny tranzystor mocy (BJT)
Polaryzacja	NPN
VCBO	Napięcie kolektor-baza (IE = 0): 100 V
VCEO	Napięcie kolektor-emiter (IB = 0): 60 V
VCER	Napięcie kolektor-emiter (RBE = 100Ω): 70 V
VEBO	Napięcie emiter-baza (IC = 0): 7 V
IC	Maksymalny prąd kolektora: 15 A
IB	Maksymalny prąd bazy: 7 A
Ptot	Całkowita moc strat (Tc ≤ 25°C): 115 W
Tstg	Temperatura przechowywania: -65 do 200°C
Tj	Maksymalna temperatura złącza: 200°C
Rthj-case	Rezystancja termiczna złącze-obudowa: 1.5°C/W
ICEX	Prąd upływu C-B, VCE = 100 V, VBE = -1.5 V: 1 mA (25°C), 5 mA (150°C)
ICEO	Prąd upływu C-E, VCE = 30 V, IB = 0: 0.7 mA
IEBO	Prąd upływu E-B, VEB = 7 V: 5 mA
VCEO(sus)	Napięcie podtrzymania C-E, IC = 200 mA: 60 V
VCE(sat)	IC = 4 A, IB = 0.4 A: 1 V IC = 10 A, IB = 3.3 A: 3 V
VBE	Napięcie B-E, IC = 4 A, VCE = 4 V: 1.8 V
hFE	Wzmocnienie prądowe (DC gain), IC = 4 A, VCE = 4 V: 20–70 IC = 10 A, VCE = 4 V: min. 5
Waga	9.7 g

Odpowiednik PNP

MJ2955

Zamienniki

2N3055, 2N3055-3, 2N3055-8, 2N3055U, 2N5038, 2N5038-1, 2N5038G, 2N5039, 2N5039-1, 2N5629, 2N5630, 2N5632, 2N5633, 2N5671, 2N5672, 2N5930, 2N5931, 2N5933, 2N5934, 2N5936, 2N5937, 2N6254, 2N6258, 2N6270, 2N6271, 2N6277A, 2N6322, 2N6323, 2N6338X, 2N6340X, 2N6341X, 2N6570, 2N6571, 2N6578, 2N6686, 2N6687, 2N6688, 2N6774, 2N6775, 2N6776, 2SC2930, 2SC3216, 2SC3455M, 2SC3455N, 108T2, 109T2, 1664, 16298, 16299, 16503, 16668, 17389, 17391, 40444, 60024, 1165905, BD317, BDW12, BDW12A, BDW14, BDW14A, BDW16, BDW16A, BDX10H, BDX50-4, BDX50-5, BDX50-6, BDX50-7, BDX60, BDX60-4, BDX60-5, BDX60-6, BDX60-7, BDX67CECC, BDX69B, BDX69C, BDY57, BDY57A, BDY58, BDY58A, BDY58R, BDY58S, BDY77, BLX87, BU323P, BUR50, BUR50S, BUR52, BUR52S, BUS13, BUS13A, BUS13-5, BUS13-6, BUS13-7, BUS14, BUS14A, BUS14-4, BUS14-5, BUS14-6, BUS14-7, BUS50, BUS51, BUS52, BUT13, BUT33, BUV10N, BUV11, BUV11CECC, BUV12, BUV1O, BUV20, BUV21, BUV22, BUV39, BUV54, BUV54A, BUV74, BUV74A, BUX10, BUX10A, BUX11, BUX11A, BUX11N

Informacje dodatkowe

✓	Zdjęcie realne
✓	Tranzystory nowe bez śladów montażu i lutowania
✓	Pomiar realny

Indeks K1220/2N3055(ID337771462)

W magazynie 54 Przedmioty

EAN 5905427019367

Pliki do pobrania

2N3055 datasheet

Pliki do pobrania (98.25KB)

Informacje dotyczące bezpieczeństwa – GPSR

Produkt	Bipolarny tranzystor mocy 2N3055
Typ	Tranzystor bipolarny BJT, NPN
Obudowa	TO-3
Maks. napięcie C-E	60 V
Maks. prąd kolektora	15 A
Maks. moc strat	115 W przy Tc ≤ 25°C
Maks. temperatura złącza	200°C

⚠ UWAGA
Element elektroniczny przeznaczony do montażu w urządzeniach i układach elektrycznych. Nieprawidłowy montaż, przekroczenie dopuszczalnych parametrów elektrycznych lub niewłaściwe chłodzenie może spowodować przegrzanie, uszkodzenie elementu albo awarię urządzenia.

Główne zagrożenia

⚠	Podczas pracy tranzystor może osiągać wysoką temperaturę. Dotknięcie nagrzanego elementu lub radiatora może spowodować oparzenie.
⚠	Przekroczenie maksymalnego napięcia, prądu lub mocy strat może doprowadzić do trwałego uszkodzenia tranzystora.
⚠	Uszkodzenie elementu w układzie o dużej mocy może spowodować gwałtowne nagrzanie, zadymienie lub uszkodzenie innych podzespołów.
⚠	Metalowa obudowa TO-3 może stanowić część obwodu elektrycznego. Należy zapewnić prawidłową izolację elektryczną, jeżeli wymaga tego konstrukcja urządzenia.

Zasady bezpiecznego użytkowania

✓	Montaż i wymianę elementu wykonywać wyłącznie przy odłączonym zasilaniu urządzenia.
✓	Przed uruchomieniem układu sprawdzić poprawność połączeń oraz polaryzację tranzystora.
✓	Nie przekraczać maksymalnych parametrów elektrycznych określonych dla tranzystora.
✓	Przy większych mocach stosować odpowiednio dobrany radiator oraz właściwy materiał termoprzewodzący.
✓	Zapewnić odpowiednią wentylację i odprowadzanie ciepła z urządzenia.
✓	Unikać zwarć, przeciążeń oraz pracy poza bezpiecznym obszarem parametrów układu.
✓	Nie dotykać elementu bezpośrednio po pracy urządzenia. Przed demontażem odczekać do jego ostygnięcia.

Montaż

Tranzystor powinien być montowany zgodnie z dokumentacją techniczną urządzenia. W przypadku mocowania do radiatora należy zapewnić odpowiedni docisk, prawidłowe odprowadzanie ciepła oraz – gdy jest to wymagane – izolację elektryczną pomiędzy obudową tranzystora a radiatorem.

Przechowywanie

Przechowywać w suchym miejscu, z dala od wilgoci, substancji powodujących korozję oraz źródeł nadmiernego ciepła. Chronić wyprowadzenia przed uszkodzeniem mechanicznym i zabrudzeniem.

Utylizacja

Zużytego lub uszkodzonego elementu elektronicznego nie należy wyrzucać w sposób mogący powodować zanieczyszczenie środowiska. Postępować zgodnie z lokalnymi zasadami dotyczącymi gospodarowania odpadami elektronicznymi.

Ważne informacje

Produkt jest komponentem elektronicznym przeznaczonym do montażu w urządzeniach i układach elektronicznych.

Dobór parametrów pracy, sposobu chłodzenia, izolacji oraz zabezpieczeń elektrycznych powinien być dostosowany do konstrukcji konkretnego urządzenia.

Przed montażem należy zapoznać się z dokumentacją techniczną elementu oraz urządzenia, w którym ma zostać zastosowany.

Producent (Private Label) (UE) 2023/988 (GPSR)
Nazwa:	Superelektronika sp. z o.o.
Adres:	ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska
E-mail:	sklep@superelektronika.pl
Osoba odpowiedzialna (UE) 2023/988 (GPSR)
Imię i nazwisko:	Superelektronika sp. z o.o.
Adres:	ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska
E-mail:	sklep@superelektronika.pl