- Nowy
IRF540N tranzystor MOSFET N-kanałowy 100V 33A 130W TO220
8,64 zł
Brutto
Dostawa 1-2 dni z InPost
Tranzystor IRF540N
IRF540N tranzystor mocy MOSFET typu N, wykonany w technologii HEXFET.
Parametry podstawowe
| Model | IRF540N |
| Oznaczenie | IRF540N |
| Typ tranzystora | N-channel MOSFET |
| Technologia | HEXFET |
| Obudowa | TO-220AB |
| Napięcie dren–źródło VDSS | 100 V |
| Prąd drenu ID | 33 A (ciągły, TC = 25°C, VGS = 10 V) |
| Rezystancja RDS(on) | maks. 0,044 Ω (VGS = 10 V, ID = 16 A) |
| Całkowity ładunek bramki Qg | maks. 71 nC (VDS = 80 V, ID = 16 A, VGS = 10 V) |
| Pojemność sprzężenia zwrotnego Crss | typ. 40 pF |
| Przełączanie | Szybkie przełączanie |
| Szczytowe dv/dt | 7,0 V/ns przy odzyskiwaniu zdolności blokowania diody |
Parametry graniczne
TC = 25°C :
| VDSS | 100 V |
| ID | 33 A przy TC = 25°C oraz 23 A przy TC = 100°C (ciągły, VGS = 10 V) |
| IDM | 110 A impulsowy, przy ograniczeniu czasu impulsu temperaturą złącza |
| VGS | ±20 V |
| PD | 130 W przy TC = 25°C |
| Współczynnik obniżania dopuszczalnej mocy | 0,87 W/°C |
| EAS | maks. 185 mJ, wartość ograniczona temperaturą złącza TJ = 175°C |
| IAR | 16 A |
| EAR | 13 mJ |
| TJ / TSTG | od -55°C do +175°C |
Parametry elektryczne
TJ = 25°C:
| VGS(th) | od 2,0 V do 4,0 V (VDS = VGS, ID = 250 µA) |
| RDS(on) | maks. 44 mΩ (VGS = 10 V, ID = 16 A) |
| IDSS | maks. 25 µA (VDS = 100 V, VGS = 0 V); maks. 250 µA (VDS = 80 V, VGS = 0 V, TJ = 150°C) |
| IGSS | maks. ±100 nA przy VGS = ±20 V |
| Ładunki bramki | Qg maks. 71 nC, Qgs maks. 14 nC, Qgd maks. 21 nC (ID = 16 A, VDS = 80 V, VGS = 10 V) |
| Pojemności | Ciss typ. 1960 pF, Coss typ. 250 pF, Crss typ. 40 pF (VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz) |
| Czasy przełączania | td(on) typ. 11 ns, tr typ. 35 ns, td(off) typ. 39 ns, tf typ. 35 ns (VDD = 50 V, ID = 16 A, RG = 5,1 Ω, VGS = 10 V) |
| VSD | maks. 1,2 V (IS = 16 A, VGS = 0 V) |
| trr | typ. 115 ns, maks. 170 ns (IF = 16 A, di/dt = 100 A/µs) |
Parametry termiczne i wyprowadzenia
| RθJC | maks. 1,15°C/W |
| RθJA | maks. 62°C/W |
| Wyprowadzenia | Patrząc od strony napisu, nóżkami w dół: 1 – bramka (G), 2 – dren (D), 3 – źródło (S) |
| Metalowa blaszka obudowy | Połączona elektrycznie z drenem |
Prąd 33 A i moc strat 130 W wymagają utrzymania temperatury obudowy TC = 25°C oraz odpowiedniego odprowadzania ciepła.
Rezystancja RDS(on) jest określona dla sterowania bramki napięciem 10 V. Napięcie progowe 2–4 V nie oznacza pełnego włączenia tranzystora.
Przykładowe zastosowania
- Zasilacze impulsowe i przetwornice DC/DC
- Sterowniki silników prądu stałego
- Układy regulacji PWM
- Elektroniczne przełączniki obciążeń
- Układy sterowania przekaźnikami, elektromagnesami i oświetleniem
Odpowiedniki
IRF540N, HGP210N20S, 40N10, JMSH1004NC, IPP200N15N3G, G50N10, CRST060N10N, SVG105R4NT, STP40NF10, JVC105E, IPP110N20N3G, HYG053N10NS1P, HGP220N25S, HGP042N10S, FQP44N10, FDP083N15A, FDP045N10A, SVGP20110NT, SVG10120NAT, SVD540T, SUP90142E, STP40NF10L, SFP046N150C3, SE100130A, PTP540, NCEP065N10, MDP1923TH, MDP1922, LSGC10R080W3, JMSH1004BC, JCS60N10I, IRFB4510, IRF540NPBF, IPP320N20N3G, IPP320N20N3, IPP114N12N3G, IPP110N20N3, IPP075N15N3G, HY045N10P, HGP115N15S, HGP110N20S, HGP043N15S, G3710, FDP42AN15A0, FDP3652, FDP2552, CRST113N20N, CRST085N15N, CRST052N15N3, CEP45N10, AOT418L, AOT412, AOT2500L, AM90N10-23P, 2SK3218-01, WML071N15HG2, WMK340N20HG2, WMK190N15HG4, WMK115N15HG4, TK56E12N1, SWP050R95E8S, SVG108R5NAT, SUP10250E, STP40NF12, SSE90N10-14, SRT15N075HTC, SQP90142E, SL80N10, SFG10R08PF, SE100130GA, RUH120N70R, PSMN8R5-100PSF, PHP45NQ15T, PHP45NQ11T, PHP45NQ10T, P0610BT, NTP6413ANG, NCEP0260, MP70N10, KIA3510A-220, IRL540NPBF, IPP410N30N, IPP220N25NFD, IPP200N25N3G, IPP200N25N3, IPP200N15N3, IPP120N20NFD, IPP111N15N3, IPP110N20NA, IPP075N15N3, IPP072N10N3, HUF76639P3, HM4110, HGP390N25S, HGP155N15S, HGP082N10M, HGP070N15S, HGP050N10A, HGP049N10S, HGP047N12S, HGP039N12S, FDP3672, FDP085N10AF102, FDP085N10A, FDP083N15AF102, FDP045N10AF102, DMT15H035SCT, DHS110N15, DH50N15, CSD19533KCS, CSD19531KCS, CS540A8, CRTT360N20N, CRST187N25N5Z, CRST113N20NZ, CRST074N10L2, CRST047N12N, CMP044N10, CMP006N12, CEP60N10, BUK9540-100A, BUK9529-100B, APG082N01, APG054N10, AP75T10GP, AP200N12P, AP190N15P, AOT416, AOT2904, AGM035N10C, 2SK3216-01, YSP040N010T1A, WMK220N20HG3, WMK072N12LG2, WMK072N12HG2, WMK071N15HG2, VST018N10MS, TK42E12N1, SWP340R10VT, SWP160R12VT, SWP069R10VS, STP130N10F3, SSS1510, SSPL1022, SSE70N10-44P, SRT20N090HTC, SRT15N110HTC, SRT15N090HTC, SRT15N059HTC, SRT12N058HTC, SM1A01NSF, SM1A01NFS, SFP110N200C3, SFP053N135C3, SFG110N12PF, SFG100N10PF, SE12060GA, RUH1H139R-A, PSMN016-100PS, PSMN013-100PS, PHP34NQ11T, NTP6413AN, NDP710A, NCEP1570, NCEP080N12, NCEP070N12, NCEP060N10, MTN2510LE3, MTN2510E3, MTE010N10E3, MEE4292T, MEE4292HT, MEE3712T, MEE3710T, MDP1922TH, LSGC15R085W3, JVC502E, JMSL1008AC, JMSH2010PCQ, JMSH2010PC, JMSH1207AC, JMSH1008PC, JMSH1008AC, JMSH1005PC, JMSH1004MC, JMSH1004AC, JCS80N10I, JCS540CT, IRFB4510PBF, IPP47N10S-33, IPP120N10S4-05, IPP114N12N3, IPP111N15N3G, IPP072N10N3G, HUFA76639P3, HUFA76633P3, HUF76633P3F085, HUF76633P3, HSP0048, HGP320N20S, HGP195N15SL, HGP195N15S, HGP190N15SL, HGP105N15SL, HGP105N15S, HGP100N12S, HGP088N15S, HGP070N12SL, HGP070N12S, HGP055N12S, HGP050N14S, GT68N12T, GT52N10T, GT060N10T, FTK80N10P, FTK50N10P, FTK1016, FTK100N10P, FQP44N10F, FHP75N100A, FDP4D5N10C, DSG070N15NA, DMTH10H010SCT, DMTH10H010LCT, DMT10H9M9SCT, DMT10H9M9LCT, DHS065N10, CS04CN10, CRTT260N10N, CRST190N20N3Z, CRST190N20N3, CRST155N20N3, CRST150N10N2, CRST128N10L2, CRST090N12N, CRST072N12N, CMP095N15, CEP50N10, BUK9535-100A, BUK9520-100A, BUK9515-100A, BUK7540-100A, BUK7535-100A, BUK7528-100A, BUK7520-100A, BUK7515-100A, BRCS3710LRA, BRCS150N10SRA, BR80N10, BR50N10, AUP074N10, APP540, APG080N12, AP75T10GP-HF, AP75T10BGP, AP75T10AGP, AOT292L, AOT2918L, AOT2906, AM90N10-14P, AM70N10-44P, AGMH035N10C, AGM15T13C, AGM15T06C, AGM056N10C, WSR80N10, SSM75T10GP, SSF3018D, SSF3018, SFP085N165C3, SFP080N150C2, SFP073N150C3, SFG60N12PF, PP9C15AT, MEE3718T, MEE3716T, JMSH1018AC, JMSH1006PC, JMSH1006AC, HGP190N15S, HGP130N12SL, HGP130N12S, HGP050N10AL, DMT10H010LCT, CMP060N10, BUK9520-100B, BUK7526-100B, BRCS150N12SRA, AUP065N10, AP75T10BGP-HF, AP72T12GP-HF, AOT66919L, AM90N10-14PCFM, AGM15T13F
Zdjęcie przedstawia oferowany produkt. Czytelność zdjęcia została zwiększona za pomocą algorytmów AI
Pomiar realny
K1500/WT7(ID406832347)
50 Przedmioty
5905042152906
Informacje dotyczące bezpieczeństwa – GPSR
| Produkt | Tranzystor mocy MOSFET N-channel |
| Model | IRF540N |
| Technologia | HEXFET |
| Obudowa | TO-220AB |
| VDSS | 100 V |
| ID | 33 A przy TC = 25°C i VGS = 10 V |
| RDS(on) | maks. 0,044 Ω przy VGS = 10 V i ID = 16 A |
| VGS | ±20 V |
| Moc strat PD | 130 W przy TC = 25°C |
| Zakres TJ / TSTG | -55°C do +175°C |
⚠ UWAGA
Tranzystor może pracować z wysokim napięciem i dużym prądem. Nieprawidłowe podłączenie, przeciążenie, przekroczenie napięcia bramki, niewystarczające chłodzenie lub zwarcie mogą doprowadzić do gwałtownego przegrzania i uszkodzenia elementu.
Tranzystor może pracować z wysokim napięciem i dużym prądem. Nieprawidłowe podłączenie, przeciążenie, przekroczenie napięcia bramki, niewystarczające chłodzenie lub zwarcie mogą doprowadzić do gwałtownego przegrzania i uszkodzenia elementu.
Zasady bezpiecznego użytkowania
| ✓ | Nie przekraczać maksymalnego napięcia dren–źródło VDSS = 100 V. |
| ✓ | Nie przekraczać maksymalnego napięcia bramka–źródło VGS = ±20 V. |
| ✓ | Prąd 33 A jest podany dla określonych warunków termicznych i nie powinien być traktowany jako wartość możliwa do uzyskania bez odpowiedniego odprowadzania ciepła. |
| ✓ | Rezystancja RDS(on) jest określona dla VGS = 10 V. Napięcie progowe VGS(th) 2–4 V nie oznacza pełnego włączenia tranzystora. |
| ✓ | Nie stosować elementu z widocznymi uszkodzeniami obudowy, wyprowadzeń lub śladami przegrzania. |
| ✓ | Montaż, demontaż i lutowanie wykonywać przy odłączonym zasilaniu. |
Wyprowadzenia i metalowa blaszka
| Pin 1 | Bramka (G) |
| Pin 2 | Dren (D) |
| Pin 3 | Źródło (S) |
| Metalowa blaszka | Połączona elektrycznie z drenem |
⚠ Ważne:
Metalowa blaszka obudowy TO-220AB jest połączona elektrycznie z drenem. Przy montażu tranzystora na wspólnym radiatorze lub metalowej obudowie należy uwzględnić możliwość występowania napięcia na radiatorze i zastosować odpowiednią izolację, jeżeli wymaga tego konstrukcja urządzenia.
Metalowa blaszka obudowy TO-220AB jest połączona elektrycznie z drenem. Przy montażu tranzystora na wspólnym radiatorze lub metalowej obudowie należy uwzględnić możliwość występowania napięcia na radiatorze i zastosować odpowiednią izolację, jeżeli wymaga tego konstrukcja urządzenia.
Chłodzenie i warunki termiczne
Parametry ID = 33 A oraz PD = 130 W odnoszą się do warunków z temperaturą obudowy TC = 25°C. W praktycznym układzie należy zapewnić odpowiedni radiator, przepływ powietrza i warunki montażowe tak, aby nie dopuścić do przekroczenia dopuszczalnej temperatury złącza.
| RθJC | maks. 1,15°C/W |
| RθJA | maks. 62°C/W |
| Maks. temperatura złącza | +175°C |
Ochrona przed ESD
Bramka tranzystora MOSFET jest wrażliwa na wyładowania elektrostatyczne. Podczas transportu, magazynowania i montażu należy stosować standardowe środki ochrony ESD oraz unikać dotykania wyprowadzeń bez potrzeby.
Montaż i lutowanie
| Obudowa | TO-220AB |
| Lutowanie | Unikać nadmiernego i długotrwałego nagrzewania wyprowadzeń oraz obudowy podczas lutowania. |
| Przed uruchomieniem | Sprawdzić kolejność wyprowadzeń, napięcie bramki, brak zwarć, poprawność połączeń oraz sposób odprowadzania ciepła. |
Przechowywanie
Przechowywać w suchym i czystym miejscu, chronić przed wilgocią, zabrudzeniem, korozją, uszkodzeniami mechanicznymi oraz wyładowaniami elektrostatycznymi.
Ważne informacje
Produkt jest komponentem elektronicznym przeznaczonym do montażu w odpowiednio zaprojektowanych urządzeniach i układach elektronicznych.
Parametry graniczne nie powinny być traktowane jako zalecane warunki ciągłej pracy. Projekt układu powinien uwzględniać odpowiedni zapas napięcia, prądu i temperatury.
Montaż i uruchomienie powinny być wykonywane przez osoby posiadające odpowiednią wiedzę z zakresu elektroniki, szczególnie w przypadku układów dużej mocy.
Stosować wyłącznie zgodnie z przeznaczeniem oraz podanymi parametrami elektrycznymi i termicznymi.
| Producent (Private Label) (UE) 2023/988 (GPSR) | |
|---|---|
| Nazwa: | Superelektronika sp. z o.o. |
| Adres: | ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska |
| E-mail: | sklep@superelektronika.pl |
| Osoba odpowiedzialna (UE) 2023/988 (GPSR) | |
| Imię i nazwisko: | Superelektronika sp. z o.o. |
| Adres: | ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska |
| E-mail: | sklep@superelektronika.pl |
Zobacz także
Komentarze (0)
Na razie nie dodano żadnej recenzji.
Tranzystor IRF540N