SGT60N60FD1PN 60N60FD1 60N60 tranzystor IGBT TO3P 60A 600V do spawarki

Tranzystor SGT60N60FD1PN

• Model: SGT60N60FD1PN
• Oznaczenie: 60N60FD1
• Seria: 60N60FD1
• Rodzaj tranzystora: IGBT
• Obudowa: TO3P
• Montaż przewlekany: THT
• Produkcja: Silan Microelectronics
• Waga:  5.2g

Podstawowe parametry elektryczne
Parametry graniczne :

• Napięcie kolektor–emiter: 600 V
• Prąd kolektora:
• 120 A (TC = 25°C)
• 60 A (TC = 100°C)
• Prąd impulsowy: 180 A
• Napięcie bramka–emiter: ±20 V
• Moc strat: 321 W
• Temperatura pracy: -55°C do +175°C

Parametry statyczne
Napięcie nasycenia:

• VCE(sat) ≈ 2.2 V (typ., 60 A, 15 V)
• Napięcie progowe bramki: 4.0 – 6.5 V
• Prąd upływu kolektora: ≤ 200 µA
• Prąd upływu bramki: ≤ ±400 nA

Charakteryzuje się niskimi stratami przewodzenia, co wynika z technologii Field Stop.

Parametry dynamiczne (przełączanie)
Przy warunkach:
VCE = 400 V
IC = 60 A
VGE = 15 V
Czas włączenia:

• Td(on): 36 ns
• Tr: 142 ns
• Czas wyłączenia:
• Td(off): 193 ns
• Tf: 136 ns

Straty przełączania:

• Eon: 3.72 mJ
• Eoff: 1.77 mJ
• Łączne: 5.49 mJ

Parametry pojemnościowe i sterowanie

• Pojemność wejściowa (Cies): ~2850 pF
• Pojemność wyjściowa (Coes): ~294 pF
• Pojemność sprzężenia zwrotnego (Cres): ~85 pF

Ładunek bramki:

• Qg: 179 nC
• Qge: 23 nC
• Qgc: 100 nC

Charakterystyki diody (FRD)
Spadek napięcia:

• 1.9 V (typ., 25°C)
• 1.5 V (typ., 125°C)
• Czas odzyskiwania:
• Trr ≈ 38 ns

Ładunek odzyskiwania:

• Qrr ≈ 85 nC

Rezystancja termiczna (złącze–obudowa):

• IGBT: 0.39 °C/W
• Dioda: 1.10 °C/W
• Rezystancja złącze–otoczenie: 40 °C/W

W ofercie posiadamy również szeroki asortyment elementów montażowych do tranzystorów
Tranzystory są nowe, jednak mogą posiadać drobne przetarcia i zarysowania na radiatorach, powstałe w wyniku magazynowania lub transportu. Nie mają one żadnego wpływu na ich działanie
Zdjęcie realne