80R450PB MMF80R450PB tranzystor 800V 11A 0.45R MOSFET TO220F super junction

Tranzystor MMF80R450PB wykonany w nowoczesnej technologii super junction 

Superjunction (SJ) to zaawansowana struktura półprzewodnikowa używana w tranzystorach mocy, szczególnie dla wysokich napięć (400–900 V). W porównaniu do klasycznych MOSFET-ów:

• Zmniejsza opór RDS(on) przy wysokim napięciu przebicia (VDS)
• Redukuje straty mocy, szczególnie w trybach przełączania
• Poprawia efektywność energetyczną, zwłaszcza w zasilaczach impulsowych (SMPS)

Parametry ogólne

• Model: MMF80R450PB
• Oznaczenie: 80R450PB
• Typ tranzystora: N-channel MOSFET
• Technologia: Super Junction (Magnachip)
• Napięcie dren-źródło (DSS): 800 V
• Rezystancja kanału w stanie włączenia (R_{DS(on), max): 0.45 Ω (typ: 0.39 Ω przy GS = 10 V, ID = 7.1 A)}
• Prąd drenu ciągły (I_D):
• 11 A (T_{C = 25°C)}
• 7 A (T_{C = 100°C)}
• Prąd impulsowy (IDM): 33 A
• Napięcie progowe bramki (GS(th)): 2.0 – 4.0 V (typ: 3.0 V)
• Całkowity ładunek bramki (Qg): 37.6 nC
• Pojemność wejściowa (Ciss): 1260 pF
• Straty mocy (PD): 33.6 W
• Energia lawinowa (EAS): 470 mJ

Parametry dynamiczne

• Czas opóźnienia załączenia (td(on)): 22 ns
• Czas narastania (tr): 44 ns
• Czas opóźnienia wyłączenia (td(off)): 118 ns
• Czas opadania (tf): 43 ns

Charakterystyki temperaturowe

• Zakres temperatur pracy: -55°C do +150°C
• Temperatura złącza (Tj): max 150°C
• Rezystancja termiczna złącze-obudowa (RthJC): 3.72 °C/W
• Rezystancja termiczna złącze-otoczenie (RthJA): 62.5 °C/W

Diody zwrotne (body diode)

• Prąd przewodzenia (IS): 11 A
• Spadek napięcia (SD): max 1.4 V
• Czas odzyskiwania (trr): 356 ns
• Ładunek odzyskiwania (Qrr): 4.7 µC

Obudowa i pakowanie

• Typ obudowy: TO-220F
• Oznaczenie na obudowie: 80R450PB
• Zakres temperatur przechowywania: -55°C do +150°C
• Waga 2.1g
• Zgodność RoHS: Tak (Pb-free, halogen-free)