Powtarzalne szczytowe napięcie zaporowe w kierunku wstecznym oraz powtarzalne szczytowe napięcie blokowania (V_RRM / V_DRM) = 1200 V
Skuteczna wartość prądu w stanie przewodzenia (I_T(RMS)) = 29 A (przy temperaturze obudowy Tc = 85°C, sinusoida 180°)
Średnia wartość prądu w stanie przewodzenia (I_T(AV)) = 19 A
Niepowtarzalny szczytowy prąd przewodzenia (prąd udarowy) (I_TSM) = 160 A (10 ms / 50 Hz) i 180 A (8,3 ms / 60 Hz) przy temperaturze złącza Tvj = 45°C i VR = 0 V
Wartość I²t = 128 A²s (50 Hz) i 134 A²s (60 Hz) przy temperaturze złącza Tvj = 45°C
Krytyczna szybkość narastania prądu w stanie przewodzenia (di/dt)cr = 100 A/µs (powtarzalna) / 500 A/µs (niepowtarzalna) przy IT = 20 A, f = 50 Hz
Krytyczna szybkość narastania napięcia w stanie blokowania (dv/dt)cr = 500 V/µs (przy Tvj = TVJM, RGK = ∞, liniowy narast)
Maksymalna moc impulsowa bramki (PGM) = 5 W (tp = 30 µs) / 2,5 W (tp = 300 µs)
Temperatura złącza (Tvj) / temperatura przechowywania (Tstg) = -40…+125 °C