4N25 optotriak transoptor DIP6 biały

4N25 Transoptor

• Model 4N25
• Oznaczenie 4N25
• Obudowa DIP6 biała
• Montaż THT przewlekany
• Rodzaj elementu transoptor (optotriak)
• Waga 0.4g

Maksymalne parametry graniczne (Absolute Maximum Ratings, Ta = 25°C)

• Prąd przewodzenia diody IF 80 mA 
• Napięcie wsteczne diody VR 6 V       
• Moc strat diody P 150 mW      
• Napięcie kolektor–emiter VCEO 30 V       
• Napięcie kolektor–baza VCBO 70 V       
• Napięcie emiter–kolektor VECO 7 V       
• Prąd kolektora IC 100 mA      
• Moc strat tranzystora PC 150 mW      
• Całkowita moc strat Ptot 250 mW      
• Napięcie izolacji (1 min) Viso 2 500 Vrms    
• Temperatura pracy Topr –55…+100 °C      
• Temperatura przechowywania Tstg –55…+150 °C      
• Temperatura lutowania (10 s) Tsol 260 °C      

Charakterystyki elektryczne i optyczne (Electrical/Optical Characteristics, Ta = 25°C)

Wejście (LED) :

• Napięcie przewodzenia VF 1,2  1,5  V IF = 10 mA     
• Prąd wsteczny IR – 50µA VR = 4 V       
• Pojemność złącza Ct 30– pF V = 0, f = 1 kHz

Wyjście (fototranzystor)

• Napięcie przebicia C–E BVCEO 30 V IC = 0,1 mA
• Napięcie przebicia E–C BVECO 7 V IE = 10 µA
• Napięcie przebicia C–B BVCBO 70 V IC = 0,1 mA
• Prąd upływu kolektora  ICEO  – 100 nA VCE = 10 V

Parametry transferowe

• CTR (stosunek prądu) CTR 50…600 % IF = 10 mA, VCE = 10 V                     
• Napięcie nasycenia C–E VCE(sat) – 0,5V IF = 10 mA, IC = 2 mA

Izolacja i dynamika

• Rezystancja izolacji RISO 10¹¹ Ω DC 500 V, RH 40–60%             
• Pojemność między stronami Cf 1 pF V = 0, f = 1 MHz                

• Czas narastania tr 3 µs RL = 100 Ω, IC = 2 mA, VCE = 10 V
• Czas opadania tf 3 µs j.w.