HY3810P HY3810 tranzystor N-Channel MOSFET TO220 TO-220 100V 180A

Tranzystor HY3810P N-Channel MOSFET

• Model: HY3810P
• Oznaczenie: HY3810P
• Typ tranzystora: N-Channel MOSFET
• Obudowa: TO-220FB-3L (również dostępny jako TO-3PM-3S, TO-3PS-3L, TO-263-2L)
• Montaż: THT przewlekany
• VDSS Napięcie dren-źródło    100    V
• VGSS Napięcie bramka-źródło    ±25    V
• ID Prąd drenu ciągły (25°C)    180    A
• ID Prąd drenu ciągły (100°C) 132    A
• IDM Prąd drenu impulsowy Ograniczony przez temperaturę złącza    A
• IS Prąd diody    180    A
• PD Moc strat (25°C)    346    W
• PD Moc strat (100°C) 173 W
• Tj Temperatura złącza max 175 °C
• Tstg Zakres temp. przechow.    -55 do 175°C
• RθJC Opór termiczny złącze-obudowa    0.43°C/W
• RθJA Opór termiczny złącze-powietrze 62.5°C/W
• RDS(on) Rezystancja w stanie włączenia (Vgs = 10V, Id = 90A) 5.0 6.5    mΩ
• VGS(th) Napięcie progowe 2.0 4.0 V
• IGSS Prąd upływu bramki    - ±100 nA
• IDSS Prąd drenu (Vgs = 0) - 1 (25°C), 10 (85°C)μA
• VSD Spadek napięcia diody (Is = 90A) 0.8 1.0V
• Qg Całkowity ładunek bramki    185    nC
• Qgs Ładunek bramka-źródło 34 nC
• Qgd Ładunek bramka-dren    60 nC
• Ciss Pojemność wejściowa 7889 pF
• Coss Pojemność wyjściowa 1013 pF
• Crss Pojemność sprzężenia zwrotnego    631    pF
• td(on) Czas opóźnienia włączenia 28    ns
• tr Czas narastania 50 ns
• td(off) Czas opóźnienia wyłączenia 85 ns
• tf Czas opadania 50    ns
• Waga: 2.3g

Możliwe zamienniki: AUIRFB4110, AUIRLB4030, DSG024N10N3, HGP020N10S, GP020N10S, HGP039N12S, GP039N12S, HGP050N14S, GP050N14S, HY029N10P, HY3810M, HY3810P, IRF100B201, IRFB4110, IRF4110, IRFB4110G, IRFB4110Q, IRLB4030, IRLB4030PBF, IXFP180N10T2, RUH1H220R, SFG180N10PF, SFG180N10P, SFP046N150C3, WMK028N10HGS

Tranzystory nowe, nogi pełnej długości
Pomiar realny
Zdjęcie realne

W ofercie posiadamy również tulejki izolujące, podkładki, pasty, termopady do TO-220