Dioda Schottkyego CSD01060E SiC 600 V 2 A SMD TO-252-2 zero recovery

CSD01060E to dioda Schottky’ego z węglika krzemu (SiC). Technologia Zero Recovery eliminuje prąd odzyskiwania wstecznego, ograniczając straty podczas przełączania przy wysokich częstotliwościach.

Parametry techniczne:

• Model: CSD01060E.
• Oznaczenie na obudowie: CSD01060.
• Maksymalne powtarzalne napięcie wsteczne: 600 V.
• Ciągły prąd przewodzenia: 2 A przy temperaturze obudowy 135°C lub 4 A przy 25°C.
• Napięcie przewodzenia: typowo 1,6 V, maksymalnie 1,8 V przy prądzie 1 A i temperaturze złącza 25°C.
• Typowy ładunek pojemnościowy: 3,3 nC.
• Temperatura pracy złącza: od −55°C do +175°C.
• Obudowa: TO-252-2.
• Montaż: powierzchniowy SMD.

Potencjalny zamiennik: C3D02060E, STPSC4H065B-TR
Stosowana w zasilaczach impulsowych, przetwornicach, układach korekcji współczynnika mocy PFC oraz napędach silników.

Zdjęcie przedstawia oferowany produkt. Czytelność zdjęcia została zwiększona za pomocą algorytmów AI.
Pomiar realny