Tranzystor MOSFET ME15N10-G ME15N10 LOW RDS
0,77 €
Brutto
Dostawa 1-2 dni z InPost
1x Tranzystor MOSFET ME15N10-G
Tranzystor N-Channel 100-V (D-S) MOSFET ME15N10-G
- Model ME15N10-G
- Oznaczenie ME15N10-G
- Seria 15N10
- Typ: tranzystor MOSFET z kanałem N
- Tryb pracy: wzbogacany (enhancement mode)
- Technologia: DMOS trench
- Obudowa: TO252 (DPAK)
- Wbudowana dioda zabezpieczająca
Parametry graniczne:
- Napięcie dren-źródło (VDSS): 100 V
- Napięcie bramka-źródło (VGSS): ±20 V
- Prąd drenu ciągły (ID, TC=25°C): 14.7 A
- Prąd drenu ciągły (ID, TC=70°C): 13.6 A
- Prąd drenu impulsowy (IDM): 59 A
- Moc strat (PD, TC=25°C): 34.7 W
- Moc strat (PD, TC=70°C): 22.2 W
- Rezystancja termiczna złącze–obudowa (RθJC): 3.6 °C/W
- Zakres temperatur pracy złącza (TJ): –55°C do +150°C
- Parametry elektryczne (TA = 25°C):
- Napięcie przebicia dren-źródło (BVDSS): 100 V
- Napięcie progowe bramki (VGS(th)): 1–3 V
- Prąd upływu bramki (IGSS): ±100 nA
- Prąd upływu drenu (IDSS): 1 µA
- Rezystancja kanału (RDS(ON), VGS=10V, ID=8A): 80–100 mΩ
- Spadek napięcia na diodzie (VSD, IS=8A): 0.9–1.2 V
- Prąd diody zabezpieczającej (IS): do 8 A
Parametry dynamiczne:
- Całkowity ładunek bramki (Qg, VGS=10V, VDS=80V, ID=10A): 24 nC
- Ładunek bramka–źródło (Qgs): 4.6 nC
- Ładunek bramka–dren (Qgd): 7.6 nC
- Pojemność wejściowa (Ciss): 890 pF
- Pojemność wyjściowa (Coss): 58 pF
- Pojemność sprzężenia zwrotnego (Crss): 23 pF
- Rezystancja bramki (Rg): 0.9 Ω
- Czas opóźnienia włączenia (td(on)): 14 ns
- Czas narastania (tr): 33 ns
- Czas opóźnienia wyłączenia (td(off)): 39 ns
- Czas opadania (tf): 5 ns
Zamienniki: 15N10G-TN3-R, 15N10L-TN3-R, 16N10, 20N15, 22N10, AFN9995S, AM30N10-70D, AM30N10-70DE, AM30N10-78D, AM30N15-60D, AOD254, AOD2544, AOD256, AOD2910, AOD2910E, AOD2916, AOD294A, AOD296A, AOD482, AP20N15AGH, AP20N15AGH-HF, AP30T10GH, AP30T10GH-HF, APG40N10D, BRCS250N10SDP, BRCS3710LDP, BRD15N10, BRD17N10, BUK9240-100A, BUK9275-100A, CS3410B4, CS540A4, DHS180N10LD, DKI10526, DSD190N10L3, FDD3672F085, FDD3682F085, FDD390N15ALZ, FDD850N10L, FDD86102LZ, FHD15N10A, FIR15N10LG, FIR80N10LG, FQD19N10L, FQD19N10LTF, FQD19N10LTM, FTK15N10D, GSM9995S, H15N10D, HGD093N12SL, HGD098N10AL, HGD120N10AL, HGD170N10AL, HGD200N10SL, HGD210N12SL, HGD230N10AL, HGD290N10SL, HGD650N15SL, HGD750N15ML, HM15N10K, IPD30N10S3L-34, IPD30N12S3L-31, ISCNL343D, ISCNL344D, JMSL1010PKS, JMSL1018AK, JMSL1018AKQ, JMSL1018PK, JMSL1018PKQ, JMSL1040AK, JMSL1070AK, K4018, MCD3410, ME15N10, ME15N10G, ME15N10-G, MEE15N10-G, MTB070N11J3, MTB55N10J3, MTDA0N10J3, MTE65N15J3, MTEA0N10J3, MTN2510J3, MTN2510LJ3, MTN3484J3, MTN3820J3, MTN7451J3, MTN9240J3, NCE0115AK, NCE0115K, NCEP1520AK, NCEP1520BK, NDT15N10, NTD6415ANL, NTD6416ANT, NVD6415ANL, NVD6495NL, P2020YD, P7515BDB, P8010BD, P9515BD, PD504BA, PDD0906, PG1010BD, PG2910BD, PP4515BD, RJK1206JPD, RU1HE16L, SFG10R20DF, SFG10R50DF, SFG10R75DF, SFG10S20DF, SFG15N10DF, SFT1445, SI25N10, SL20N10, SM1A20NSU, SM1A23NSU, SM1A30NSU, SM1A32NSU, SPD35N10, SRT10N160LD, SRT10N230LD, SRT15N750LD, SSD30N10-70D, SUD15N15-95, SUD20N10-66L, TW0115SR-Y, TX15N10B, UTT30N10, VBE1106N, VBZE12N10, VBZE15N10, VBZE80N10, WMO175N10LG4, WMO20N15T2, WMO240N10LG2, WSF15N10, WSF15N10G, WSF3410, WSF40N10A, WSF50N10G, YJD45G10A
Zdjęcie realne
Pomiar realny
Tranzystory nowe, brak śladów lutowania, nogi pełnej długości
K421/M(ID46303036)
200 Przedmioty
5905042150391
Produkt wprowadzony do obrotu na terenie UE przed 13.12.2024
Wysokie napięcie i prąd – Ten element może działać przy wysokich napięciach i prądach, co stwarza ryzyko porażenia prądem. Należy zwrócić uwagę na maksymalne wartości napięcia i prądu oraz odpowiednie oznaczenie, które wskazuje na te limity.
Zachowanie ostrożności podczas montażu – Należy upewnić się, że elementy są prawidłowo zamontowane w obwodzie, ponieważ nieprawidłowe połączenia mogą prowadzić do przegrzania, uszkodzeń lub pożaru.
Gorące elementy - Elementy elektroniczne mogą nagrzewać się podczas pracy, dlatego ważne jest przestrzeganie zaleceń dotyczących maksymalnej temperatury pracy. Należy stosować odpowiednie radiatory lub systemy chłodzenia, aby zapewnić efektywne odprowadzanie ciepła. Warto również zachować ostrożność, aby uniknąć poparzeń.
Ryzyko połknięcia - Małe elementy mocujące, takie jak śruby, nakrętki czy podkładki, mogą stanowić zagrożenie zadławienia lub połknięcia, szczególnie dla dzieci. Należy je przechowywać w miejscu niedostępnym dla dzieci.
Rozrzucenie małych elementów - Mogą one stwarzać ryzyko potknięcia lub zagubienia w trakcie pracy. Należy przechowywać je w pojemnikach zabezpieczających przed rozsypaniem.
| Producent (Private Label) (UE) 2023/988 (GPSR) | |
|---|---|
| Nazwa: | Superelektronika sp. z o.o. |
| Adres: | ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska |
| E-mail: | sklep@superelektronika.pl |
| Osoba odpowiedzialna (UE) 2023/988 (GPSR) | |
| Imię i nazwisko: | Radosław Jaromin |
| Adres: | Arynów 46A 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska |
| E-mail: | radoslaw.jaromin@gmail.com |
Ostatnio przeglądane
- Obecnie brak na stanie
Komentarze (0)
Na razie nie dodano żadnej recenzji.
1x Tranzystor MOSFET ME15N10-G