CS8N65F 8N65 tranzystor N-Channel MOSFET 650V 7.5A TO-220FP
10,91 zł
Brutto
Dostawa 1-2 dni z InPost
Tranzystor CS8N65F
Tranzystor N-Channel MOSFET CS8N65F 8N65
Parametry graniczne
Absolute Maximum Ratings przy Ta = 25°C:
| Napięcie dren-źródło (VDSS) | 650 V |
| Prąd drenu przy TC = 25°C (ID) | 7.5 A |
| Prąd drenu przy TC = 100°C (ID) | 4.6 A |
| Impulsowy prąd drenu (IDM) | 30 A |
| Napięcie bramki względem źródła (VGSS) | ±30 V |
| Energia złącza lawinowego EAS | 230 mJ |
| Energia złącza lawinowego EAR | 10 mJ |
| Powtarzalny impuls lawinowy IAR | 7.5 A |
| Moc strat przy TC = 25°C (PD) | 48 W |
| Zakres temperatur pracy i przechowywania | –55°C do +150°C |
Parametry elektryczne
Electrical Characteristics przy Ta = 25°C:
| Napięcie przebicia BVDSS | 650 V przy VGS = 0V, ID = 250μA |
| Prąd upływu IDSS | maks. 1.0 μA przy VDS = 650V, VGS = 0V maks. 10 μA przy VDS = 480V, TC = 125°C |
| Prąd upływu bramki IGSS | ±0.1 μA przy VGS = ±30V, VDS = 0V |
| Napięcie progowe bramki VGS(th) | 2.0 – 4.0 V przy VDS = VGS, ID = 250μA |
| RDS(on) | typ. 1.0 Ω, maks. 1.4 Ω przy VGS = 10V, ID = 3.75A |
| Transkonduktancja gFS | typ. 8.7 S przy VDS = 40V, ID = 3.75A |
| Napięcie złącza źródło-dioda VSD | maks. 1.4 V przy VGS = 0V, IS = 7.5A |
Pojemności
Przy VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz:
| Pojemność wejściowa Ciss | 1255 pF |
| Pojemność wyjściowa Coss | 135 pF |
| Pojemność sprzężona Crss | 16 pF |
Czasy przełączania
Przy VDD = 300V, ID = 7.5A, RG = 25Ω:
| Czas włączenia td(on) | 16.5 – 45 ns |
| Czas narastania tr | 60.5 – 130 ns |
| Czas wyłączenia td(off) | 81 – 170 ns |
| Czas opadania tf | 64.5 – 140 ns |
Parametry mechaniczne
| Obudowa | TO-220FP izolowana |
| Waga | 1.8g |
Możliwe zamienniki
8N65, 10N65A, 12N65A, AFN10N65T220T, AFN12N65T220T, AM12N65P, AOT11S65, AOT11S65L, AOT15S65, AOT15S65L, AOT25S65, AOT25S65L, AOT450A70L, AOT600A70FL, AP10N70P-A, APT11N80KC3, AT10N65S, BL10N65A-P, BL12N65A-P, BLS65R380-P, BLS65R560-P, BLS70R420-P, BLS70R600-P, CDM22010-650, CEP10N65, CS10N65A8R, CS10N65FF, CS12N65A8R, CS12N70A8H, CS8N65F, CS8N65F-B, CS8N65P, CS8N70F, FHP10N65A, FIR14NS65AFG, FTK10N65P, GC11N65T, GP1M009A060XX, GP1M009A070X, GWM13S65YRY, H10N65E, H12N65E, HCP12NK65V, HCP65R320, HCP90R450, HFP10N65S, HMS11N65, HMS15N65, HMS17N65, HMS8N65, HMS8N70, HY10N65T, IPP65R065C7, IPP65R095C7, IPP65R125C7, IPP65R190C6, IPP65R190C7, IPP65R190E6, IPP80R360P7
Zdjęcie realne
Pomiar realny
K1206/FN(ID336216696)
150 Przedmioty
5905427019220
Informacje dotyczące bezpieczeństwa – GPSR
| Produkt | Tranzystor N-Channel MOSFET |
| Model | CS8N65F / 8N65 |
| Obudowa | TO-220FP izolowana |
| VDSS | 650 V |
| ID przy TC = 25°C | 7.5 A |
| IDM | 30 A |
| VGSS | ±30 V |
| Moc strat PD | 48 W przy TC = 25°C |
| Zakres temperatur | -55°C do +150°C |
| Waga | 1.8g |
⚠ UWAGA – WYSOKIE NAPIĘCIE
Tranzystor może pracować przy napięciu do 650 V. W układach wykorzystujących takie napięcia występuje ryzyko porażenia prądem, powstania łuku elektrycznego, przegrzania oraz uszkodzenia elementów. Montaż i uruchomienie powinny być wykonywane wyłącznie przez osoby posiadające odpowiednią wiedzę z zakresu elektroniki i pracy z wysokim napięciem.
Tranzystor może pracować przy napięciu do 650 V. W układach wykorzystujących takie napięcia występuje ryzyko porażenia prądem, powstania łuku elektrycznego, przegrzania oraz uszkodzenia elementów. Montaż i uruchomienie powinny być wykonywane wyłącznie przez osoby posiadające odpowiednią wiedzę z zakresu elektroniki i pracy z wysokim napięciem.
Zasady bezpiecznego użytkowania
| ✓ | Nie przekraczać napięcia dren–źródło VDSS = 650 V. |
| ✓ | Nie przekraczać napięcia bramka–źródło VGSS = ±30 V. |
| ✓ | Prąd 7.5 A jest określony dla TC = 25°C. Wzrost temperatury obudowy zmniejsza dopuszczalny prąd pracy. |
| ✓ | Napięcie progowe VGS(th) 2.0–4.0 V nie oznacza pełnego wysterowania tranzystora. Parametr RDS(on) podano dla VGS = 10 V. |
| ✓ | Nie używać elementu z uszkodzoną obudową, pęknięciami, uszkodzonymi wyprowadzeniami lub śladami przegrzania. |
| ✓ | Montaż, demontaż i lutowanie wykonywać wyłącznie przy odłączonym i rozładowanym układzie. |
Wysokie napięcie i rozładowanie układu
⚠ Ważne:
Przed dotykaniem tranzystora lub innych elementów układu należy odłączyć zasilanie oraz upewnić się, że kondensatory i inne elementy magazynujące energię zostały bezpiecznie rozładowane. Samo odłączenie urządzenia od zasilania nie gwarantuje braku niebezpiecznego napięcia.
Przed dotykaniem tranzystora lub innych elementów układu należy odłączyć zasilanie oraz upewnić się, że kondensatory i inne elementy magazynujące energię zostały bezpiecznie rozładowane. Samo odłączenie urządzenia od zasilania nie gwarantuje braku niebezpiecznego napięcia.
Chłodzenie i warunki termiczne
Parametry prądowe i moc strat odnoszą się do określonych warunków termicznych. Przy większych prądach należy zapewnić odpowiednie odprowadzanie ciepła oraz kontrolować temperaturę elementu. Nie należy dopuszczać do przekroczenia temperatury złącza +150°C.
| ID przy TC = 25°C | 7.5 A |
| ID przy TC = 100°C | 4.6 A |
| Moc strat | 48 W przy TC = 25°C |
| Maks. temperatura złącza | +150°C |
Obudowa TO-220FP
Element posiada izolowaną obudowę TO-220FP. Podczas montażu należy mimo to zachować wymagane dla danego napięcia odstępy izolacyjne, poprawne mocowanie oraz odpowiednie warunki odprowadzania ciepła. Nie należy traktować samej obudowy jako jedynego środka ochrony przed wysokim napięciem.
Ochrona przed ESD
Bramka tranzystora MOSFET jest wrażliwa na wyładowania elektrostatyczne. Podczas magazynowania, transportu i montażu należy stosować standardowe środki ochrony ESD oraz ograniczać bezpośrednie dotykanie wyprowadzeń.
Montaż i lutowanie
| Obudowa | TO-220FP izolowana |
| Lutowanie | Unikać nadmiernego i długotrwałego nagrzewania wyprowadzeń oraz obudowy podczas lutowania. |
| Izolacja | W układach wysokonapięciowych zachować właściwe odstępy, izolację i zabezpieczenia odpowiednie do napięcia występującego w urządzeniu. |
| Przed uruchomieniem | Sprawdzić poprawność połączeń, sterowanie bramki, brak zwarć, stan izolacji oraz sposób chłodzenia tranzystora. |
Przechowywanie
Przechowywać w suchym i czystym miejscu, chronić przed wilgocią, zabrudzeniem, korozją, uszkodzeniami mechanicznymi oraz wyładowaniami elektrostatycznymi.
Ważne informacje
Produkt jest komponentem elektronicznym przeznaczonym do montażu w odpowiednio zaprojektowanych urządzeniach i układach elektronicznych.
Parametry graniczne nie są zalecanymi warunkami ciągłej pracy. Projekt układu powinien uwzględniać odpowiedni zapas napięcia, prądu, temperatury i warunków przełączania.
Ze względu na napięcie do 650 V montaż, uruchomienie oraz serwisowanie powinny być wykonywane przez osoby posiadające odpowiednią wiedzę i doświadczenie w pracy z układami wysokonapięciowymi.
Stosować wyłącznie zgodnie z przeznaczeniem oraz podanymi parametrami elektrycznymi i termicznymi.
| Producent (Private Label) (UE) 2023/988 (GPSR) | |
|---|---|
| Nazwa: | Superelektronika sp. z o.o. |
| Adres: | ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska |
| E-mail: | sklep@superelektronika.pl |
| Osoba odpowiedzialna (UE) 2023/988 (GPSR) | |
| Imię i nazwisko: | Superelektronika sp. z o.o. |
| Adres: | ul. gen. K. Sosnkowskiego 26/83 05-300 Mińsk Mazowiecki, Polska |
| E-mail: | sklep@superelektronika.pl |
Zobacz także
Klienci którzy zakupili ten produkt kupili również:
Komentarze (0)
Na razie nie dodano żadnej recenzji.
Tranzystor CS8N65F