CS12N60F 12N60F power MOSFET VDMOS 600V 12A TO220F

Tranzystor mocy MOSFET CS12N60F

Cechy:

• Szybkie przełączanie
• Niska rezystancja włączenia (Rdson ≤0,75 Ω)
• Niski poziom naładowania bramki (typowe dane: 40nC)
• Niskie pojemności transferu zwrotnego (typowo: 10 pF)
• 100% test energii lawinowej pojedynczego impulsu
• Obudowa TO220F (czarna)

Zastosowania:

• Obwody przełączające zasilaczy i ładowarek

Parametry Absolutne (Tc = 25°C, o ile nie określono inaczej):

• VDSS: Napięcie między drenem a źródłem: 600 V

ID:

• Prąd drenu ciągły: 12 A
• Prąd drenu ciągły przy TC = 100°C: 7.5 A

IDM:

• Prąd drenu impulsowy: 48 A
• VGS: Napięcie między bramką a źródłem: ±30 V
• EAS: Energia pojedynczego impulsu przebicia: 670 mJ
• dv/dt: Szczytowy przyrost napięcia podczas odzysku diody: 5.0 V/ns

PD:

• Rozpraszanie mocy: 42 W
• Współczynnik deratingu powyżej 25°C: 0.34 W/°C
• TJ, Tstg:  Zakres temperatury pracy złącza i przechowywania: -55 do 150°C
• TL: Maksymalna temperatura lutowania: 300°C